Condición del transistor de poder del Mosfet de AP1334GEU-HF 0.35W 8A nueva

Number modelo:AP1334GEU-HF

Lugar del origen:China

Cantidad de orden mínima:Negociable

Condiciones de pago:T/T, Western Union, L/C

Capacidad de la fuente:10,000/Month

Plazo de expedición:semana 4~5

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Miembro activo

Shenzhen Guangdong China

Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong

Proveedor Último login veces: Dentro de 14 Horas

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Precio de la ventaja del componente electrónico AP1334GEU-HF para la acción original

Descripción

Las series AP1334 son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar el posible más bajo en resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC. (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Grado	Unidades
VDS	Voltaje de la Dren-fuente	20	V
VGS	Voltaje de la Puerta-fuente	+8	V
ID@TA =25℃	Drene la corriente³, VGS @ 4.5V	2,1
ID@TA =70℃	Drene la corriente³, VGS @ 4.5V	1,7
IDM	Corriente pulsada^1del dren	8
PD@TA =25℃	Disipación de poder total	0,35	W
TSTG	Gama de temperaturas de almacenamiento	-55 a 150	℃
TJ	Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme	-55 a 150	℃

Datos termales

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
Rthj-a	Resistencia termal máxima,^3Empalme-ambiente	360	℃/W

AP1334GEU-H

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Voltaje de avería de la Dren-fuente	VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA	20	-	-	V
RDS (ENCENDIDO)	En-resistencia estática^2de la Dren-fuente	VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =2A	-	-	65	mΩ
		VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =1.5A	-	-	75	mΩ
		VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =1A	-	-	85	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral de la puerta	VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA	0,3	-	1	V
gfs	Transconductancia delantera	VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =2A	-	12	-	S
IDSS	Corriente de la salida de la Dren-fuente	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	UA
IGSS	Salida de la Puerta-fuente	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+30	UA
Qg	Carga total de la puerta	Identificación =2A VDS =10V VGS =4.5V	-	9	14,4	nC
Qgs	Carga de la Puerta-fuente		-	1	-	nC
Qgd	Carga del Puerta-dren (“Miller”)		-	2,5	-	nC
TD (encendido)	Tiempo de retraso de abertura	IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V	-	6	-	ns
tr	Tiempo de subida		-	7	-	ns
TD (apagado)	Tiempo de retraso de la vuelta-apagado		-	18	-	ns
tf	Tiempo de caída		-	3	-	ns
CISS	Capacitancia entrada	VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz	-	570	912	PF
Coss	Capacitancia de salida		-	70	-	PF
Crss	Capacitancia reversa de la transferencia		-	60	-	PF
Rg	Resistencia de la puerta	f=1.0MHz	-	2,4	4,8	Ω

Diodo del Fuente-dren

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Remita en el voltaje²	ES =1.2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tiempo de recuperación reversa	ES =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	14	-	ns
Qrr	Carga reversa de la recuperación	ES =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	7	-	nC

Notas:

anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse

3.Surface montó en FR4 el tablero, sec del ≦ 10 de t.

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