APEC de los ICs AP2302AGN-HF del transistor de poder de 1.38W 20A

Number modelo:AP2302AGN-HF

Lugar del origen:China

Cantidad de orden mínima:Negociable

Condiciones de pago:Western Union, L/C, T/T

Capacidad de la fuente:10,000PCS/Month

Plazo de expedición:semana 4~5

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Miembro activo

Shenzhen Guangdong China

Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong

Proveedor Último login veces: Dentro de 14 Horas

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APEC caliente especializado AP2302AGN-HF de los ICs AP2302AGN-HF

Descripción

Las series de AP2302A son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar el posible más bajo en resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.

El paquete especial del diseño SOT-23 con buen funcionamiento termal se prefiere extensamente para todos los usos superficiales comercial-industriales del soporte usando la técnica infrarroja del flujo y se adapta para los usos de la conversión o del interruptor del voltaje.

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Grado	Unidades
VDS	Voltaje de la Dren-fuente	20	V
VGS	Voltaje de la Puerta-fuente	+8	V
ID@TA =25℃	Drene la corriente³, VGS @ 4.5V	4,6
ID@TA =70℃	Drene la corriente³, VGS @ 4.5V	3,7
IDM	Corriente pulsada^1del dren	20
PD@TA =25℃	Disipación de poder total	1,38	W
TSTG	Gama de temperaturas de almacenamiento	-55 a 150	℃
TJ	Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme	-55 a 150	℃

Datos termales

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
Rthj-a	Resistencia termal máxima,^3Empalme-ambiente	90	℃/W

AP2302AGN-H

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Voltaje de avería de la Dren-fuente	VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA	20	-	-	V
RDS (ENCENDIDO)	En-resistencia estática^2de la Dren-fuente	VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =4A	-	-	42	mΩ
RDS (ENCENDIDO)	En-resistencia estática^2de la Dren-fuente	VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =3A	-	-	60	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral de la puerta	VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA	0,3	-	1,2	V
gfs	Transconductancia delantera	VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =4A	-	14	-	S
IDSS	Corriente de la salida de la Dren-fuente	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	UA
IGSS	Salida de la Puerta-fuente	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+100	nA
Qg	Carga total^2de la puerta	IDENTIFICACIÓN =4A VDS =10V VGS =4.5V	-	6,5	10,5	nC
Qgs	Carga de la Puerta-fuente		-	1	-	nC
Qgd	Carga del Puerta-dren (“Miller”)		-	2,5	-	nC
TD (encendido)	Tiempo de retraso de abertura²	IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V	-	9	-	ns
tr	Tiempo de subida		-	12	-	ns
TD (apagado)	Tiempo de retraso de la vuelta-apagado		-	16	-	ns
tf	Tiempo de caída		-	5	-	ns
CISS	Capacitancia entrada	VGS =0V VDS =20V f=1.0MHz	-	300	480	PF
Coss	Capacitancia de salida		-	85	-	PF
Crss	Capacitancia reversa de la transferencia		-	80	-	PF
Rg	Resistencia de la puerta	f=1.0MHz	-	2	-	Ω

Diodo del Fuente-dren

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Remita en el voltaje²	ES =1.2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tiempo de recuperación reversa²	ES =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	20	-	ns
Qrr	Carga reversa de la recuperación	ES =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	10	-	nC

Notas:

anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse

3.Surface montó en 1 en^el cojín de cobre² FR4 del tablero, t<> 10s; 270℃/W cuándo montó en el cojín de cobre mínimo.

Pago:

Aceptamos las condiciones de pago: Transferencia telegráfica (T/T) por adelantado/servicio o términos netos (cooperación a largo plazo) de Paypal/de Western Union/del fideicomiso.

Podemos apoyar muchas clases de moneda, tales como USD; HKD; EUR; Los CNY y otros, nos entran en contacto con por favor.