transistor de transferencia del diodo de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

Number modelo:AP4434AGYT-HF

Lugar del origen:Shenzhen, China

Cantidad de orden mínima:Negociación

Condiciones de pago:Western Union, L/C, T/T

Capacidad de la fuente:10,000PCS/Month

Plazo de expedición:1 - 2 semanas

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Miembro activo

Shenzhen Guangdong China

Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong

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Detalles del producto

AP4434AGYT-HF PMPAK (transferencia original de YT MOSFET/IGBT/Diode/chips CI del transistor

Descripción

Las series de AP4434A son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar la en-resistencia posible más baja y el funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.

El paquete de PMPAK® 3x3 es especial para el uso de la conversión del voltaje usando técnica infrarroja estándar del flujo con el disipador de calor de la parte trasera alcanzar el buen funcionamiento termal.

Grados máximos absolutos

Símbolo	Parámetro	Grado	Unidades
VDS	Voltaje de la Dren-fuente	20	V
VGS	Voltaje de la Puerta-fuente	+8	V
ID@TA =25℃	Corriente continua³, VGS @ 4.5V del dren	10,8
ID@TA =70℃	Corriente continua³, VGS @ 4.5V del dren	8,6
IDM	Corriente pulsada^1del dren	40
PD@TA =25℃	Disipación de poder total³	3,13	W
TSTG	Gama de temperaturas de almacenamiento	-55 a 150	℃
TJ	Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme	-55 a 150	℃

datos hermal

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
Rthj-c	Resistencia termal máxima, Empalme-caso	4	℃/W
Rthj-a	Resistencia termal máxima,^3Empalme-ambiente	40	℃/W

AP4434AGYT-H

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Voltaje de avería de la Dren-fuente	VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA	20	-	-	V
RDS (ENCENDIDO)	En-resistencia estática^2de la Dren-fuente	VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =7A	-	-	18	mΩ
		VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =4A	-	-	25	mΩ
		VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =1A	-	-	34	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral de la puerta	VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA	0,25	-	1	V
gfs	Transconductancia delantera	VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =7A	-	29	-	S
IDSS	Corriente de la salida de la Dren-fuente	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	UA
IGSS	Salida de la Puerta-fuente	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+100	nA
Qg	Carga total de la puerta	IDENTIFICACIÓN =7A VDS =10V VGS =4.5V	-	12,5	20	nC
Qgs	Carga de la Puerta-fuente		-	1,5	-	nC
Qgd	Carga del Puerta-dren (“Miller”)		-	4,5	-	nC
TD (encendido)	Tiempo de retraso de abertura	IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V	-	10	-	ns
tr	Tiempo de subida		-	10	-	ns
TD (apagado)	Tiempo de retraso de la vuelta-apagado		-	24	-	ns
tf	Tiempo de caída		-	8	-	ns
CISS	Capacitancia entrada	VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz	-	800	1280	PF
Coss	Capacitancia de salida		-	165	-	PF
Crss	Capacitancia reversa de la transferencia		-	145	-	PF
Rg	Resistencia de la puerta	f=1.0MHz	-	1,5	3	Ω

Diodo del Fuente-dren

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Remita en el voltaje²	ES =2.6A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tiempo de recuperación reversa	ES =7A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	20	-	ns
Qrr	Carga reversa de la recuperación	ES =7A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	10	-	nC