Módulo AP6982GN2-HF del Mosfet del transistor de G2012 20V 12A 10mr 2.4W

Number modelo:AP6982GN2-HF

Lugar del origen:Shenzhen, China

Cantidad de orden mínima:Negociación

Condiciones de pago:L/C T/T WESTERN UNION

Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día

Plazo de expedición:1 - 2 semanas

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Miembro activo

Shenzhen Guangdong China

Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong

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Alternativa del mosfet del transistor de G2012 20V 12A 10mr para AP6982GN2-HF

Descripción:

Las series AP6982 son de poder avanzado innovaron diseño y

¿tecnología de proceso del silicio para alcanzar el posible más bajo encendido? resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Proporciona

diseñador con un dispositivo eficiente extremo para el uso en un ancho

gama de usos del poder.

Ratings@Tj máximo absoluto =25o.C (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Grado	Unidades
VDS	Voltaje de la Dren-fuente	20	V
VGS	Voltaje de la Puerta-fuente	+8	V
ID@TA =25℃	Dren continuo³ @ VGS actuales =4.5V	11
ID@TA =70℃	Dren continuo³ @ VGS actuales =4.5V	8,7
IDM	Corriente pulsada^1del dren	40
PD@TA =25℃	Disipación de poder total³	2,4	W
TSTG	Gama de temperaturas de almacenamiento	-55 a 150	℃
TJ	Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme	-55 a 150	℃

Datos termales

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
Rthj-a	Resistencia termal máxima,^3Empalme-ambiente	52	℃/W

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Voltaje de avería de la Dren-fuente	VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA	20	-	-	V
RDS (ENCENDIDO)	En-resistencia estática^2de la Dren-fuente	VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =10A	-	9,3	12,5	mΩ
		VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =5A	-	11,3	16	mΩ
		VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =2A	-	15	21	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral de la puerta	VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA	0,3	0,5	1	V
gfs	Transconductancia delantera	VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =10A	-	34	-	S
IDSS	Corriente de la salida de la Dren-fuente	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	UA
IGSS	Salida de la Puerta-fuente	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+100	nA
Qg	Carga total de la puerta	Identificación =10A VDS =10V VGS =4.5V	-	22	35,2	nC
Qgs	Carga de la Puerta-fuente		-	2,5	-	nC
Qgd	Carga del Puerta-dren (“Miller”)		-	7	-	nC
TD (encendido)	Tiempo de retraso de abertura	VDS =10V	-	9	-	ns
tr	Tiempo de subida	Identificación =1A	-	13	-	ns
TD (apagado)	Tiempo de retraso de la vuelta-apagado	RG =3.3Ω	-	40	-	ns
tf	Tiempo de caída	VGS =5V	-	10	-	ns
tf	Tiempo de caída		-	10	-	ns
CISS	Capacitancia entrada	VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz	-	1500	2400	PF
Coss	Capacitancia de salida		-	170	-	PF
Crss	Capacitancia reversa de la transferencia		-	155	-	PF
Rg	Resistencia de la puerta	f=1.0MHz	-	2	4	Ω

Diodo del Fuente-dren

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Remita en el voltaje²	ES =2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tiempo de recuperación reversa	ES =10A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	11	-	ns
Qrr	Carga reversa de la recuperación	ES =10A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	5	-	nC

Notas:

1. Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse
3.Surface montó en 1 en^el cojín del cobre² 2oz FR4 del tablero, t<> 10s; 165^oC/W cuando está montado en el cojín de cobre mínimo.

Este producto es sensible a la descarga electrostática, dirige por favor con cuidado.

Este producto no se autoriza para ser utilizado como componente crítico de un sistema de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales o de otros sistemas similares.

El APEC no será obligado para ninguna responsabilidad que se presenta del uso o el uso de cualquier producto o circuito describió en este acuerdo, ni asignará cualquier licencia bajo sus derechas de patente o asignará las derechas de otras.

El APEC se reserva la derecha de realizar cambios a cualquier producto en este acuerdo sin previo aviso de mejorar confiabilidad, la función o el diseño.