Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:TIP112
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
TO-220-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores TIP112 DARLINGTON (NPN)
CARACTERÍSTICA
- Alto aumento actual de DC: hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (mínimo)
- Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
- Uso industrial
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 100 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 100 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 5 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 2 | A |
| PC | Disipación de poder del colector | 2 | W |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55 a +150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=10mA, ES DECIR =0 | 100 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=30mA, IB=0 (SUS) | 100 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR =10MA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE=50V, IB=0 | 2 | mA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=100V, ES DECIR =0 | 1 | mA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 2 | mA | ||
Aumento actual de DC | hFE (1) | VCE=4V, IC=1A | 1000 | 12000 | ||
| hFE (2) | VCE=4V, IC=2A | 500 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=2A, IB=8mA | 2,5 | V | ||
| Voltaje del emisor de base | VBE | VCE=4V, IC=2A | 2,8 | V | ||
| Capacitancia de salida del colector | Mazorca | VCB=10V, ES DECIR =0, f=0.1MHz | 100 | PF |
Dimensiones del esquema del paquete de TO-220-3L
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 |
| A1 | 2,520 | 2,820 | 0,099 | 0,111 |
| b | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
| c1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| D | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
| E | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
| E1 | 12,060 | 12,460 | 0,475 | 0,491 |
| e | 2,540 TIPO | 0,100 TIPOS | ||
| e1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
| F | 2,590 | 2,890 | 0,102 | 0,114 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L | 13,400 | 13,800 | 0,528 | 0,543 |
| L1 | 3,560 | 3,960 | 0,140 | 0,156 |
| Φ | 3,735 | 3,935 | 0,147 | 0,155 |
Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia
Carro de la investigación
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