Transistores encapsulados plásticos del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127

Brand Name:Hua Xuan Yang

Certification:RoHS、SGS

Model Number:TIP127

Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS

Delivery Time:1 - 2 Weeks

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Miembro activo

Shenzhen Guangdong China

Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong

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Detalles del producto

TO-126 Plástico-encapsulan los transistores

Transistor de TIP122 Darlington (NPN)

Transistor de TIP127 Darlington (PNP)

CARACTERÍSTICA

Transistores complementarios del silicio del poder medio

TO-126

1. EMISOR

2. COLECTOR

3. BASE

MARCADO

TIP122, código de TIP127=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code

Circuito equivalente

INFORMACIÓN EL ORDENAR

GRADOS MÁXIMOS (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	TIP122	TIP127	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	100	-100	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	100	-100	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	5	-5	V
I_C	Corriente de colector - continua	5	-5	A
P_C *	Disipación de poder del colector	1,25		W
RθJA	Empalme de la resistencia termal a ambiente	100		℃/W
RθJc	Empalme de resistencia termal al caso	8,33		℃/W
T_J	Temperatura de empalme	150		℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150		℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

TIP122 NPN
Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=1mA, ES DECIR =0	100		V
voltaje de avería del Colector-emisor	V_CEO (SUS)	I_C=30mA, I_B=0	100		V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=100V, ES DECIR =0		0,2	mA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=50 V, I_B=0		0,5	mA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=5 V, I_C=0		2	mA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE= 3V, I_C=0.5A	1000
Aumento actual de DC	hFE (2)	V_CE= 3V, I_C=3 A	1000	12000
voltaje de saturación del Colector-emisor	V_CE (sentado)	I_C=3A, I_B=12mA		2	V
voltaje de saturación del Colector-emisor	V_CE (sentado)	I_C=5 A, I_B=20mA		4	V
Voltaje del emisor de base	VBE	V_CE=3V, I_C=3 A		2,5	V
Capacitancia de salida	Mazorca	V_CB=10V, ES DECIR =0, f=0.1MHz		200	PF

TIP127 PNP
Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=-1mA, ES DECIR =0	-100		V
voltaje de avería del Colector-emisor	V_CEO (SUS)	I_C=-30mA, I_B=0	-100		V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=-100V, ES DECIR =0		-0,2	mA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=-50 V, I_B=0		-0,5	mA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=-5 V, I_C=0		-2	mA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE=-3V, I_C=-0.5A	1000
Aumento actual de DC	hFE (2)	V_CE=-3V, I_C=-3A	1000	12000
voltaje de saturación del Colector-emisor	V_CE (sentado)	I_C=-3A, I_B=-12mA		-2	V
voltaje de saturación del Colector-emisor	V_CE (sentado)	I_C=-5 A, I_B=-20mA		-4	V
Voltaje del emisor de base	VBE	V_CE=-3V, I_C=-3 A		-2,5	V
Capacitancia de salida	Mazorca	V_CB=-10V, ES DECIR =0, f=0.1MHz		300	PF

* esta prueba se realiza sin el disipador de calor en T_a=25℃.

Name: Transistores encapsulados plásticos del triodo TO126 del semiconductor de TIP122 TIP127
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

Dimensiones del esquema del paquete TO-126