Mosfet en doble canal Rs1a de la recuperación rápida a través del soporte superficial de Rs1m
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:Rs1a
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Dentro de 14 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
RS1A A TRAVÉS DEL SOPORTE DE LA SUPERFICIE DE RS1M AYUNAN RECTIFICADOR DE LA RECUPERACIÓN
CARACTERÍSTICA
Alivio de tensión incorporado, ideal para la colocación
automatizada
Alta capacidad delantera de la sobretensión
El soldar de alta temperatura garantizado:
250 segundos C/10 en los terminales
Empalme apaciguado vidrio del microprocesador
Alta capacidad delantera de la sobretensión
El soldar de alta temperatura garantizado:
250 segundos C/10 en los terminales
Empalme apaciguado vidrio del microprocesador
El paquete plástico lleva el laboratorio de los suscriptores
Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad
Para la superficie usos montados
Salida reversa baja
Caso: JEDEC DO-214AC moldeó el cuerpo plástico sobre
microprocesador apaciguado
Terminales: Soldadura plateada, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,002 onzas, 0,07 gramos
RS1A A TRAVÉS DEL SOPORTE DE LA SUPERFICIE DE RS1M AYUNAN
RECTIFICADOR DE LA RECUPERACIÓN
DATOS MECÁNICOS
Caso: Cuerpo plástico moldeado DO-201AD de JEDEC
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por
MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,002 onzas, 0,07 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo
contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o
inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la
capacidad normal por el 20%.
Nota:
1. Condición reversa IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de la recuperación
2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
3. Resistencia termal del empalme a ambiente en 0,375" longitud de
la ventaja (de 9.5m m), mounte del PWB
GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS 1N4942 CON 1N4948
Mosfet en doble canal Rs1a de la recuperación rápida a través del soporte superficial de Rs1m
Carro de la investigación
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