FS1A A TRAVÉS del rectificador rápido de la recuperación del soporte superficial de FS1M Dual Switching Diode

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:FS1A THRU FS1M
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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FS1A A TRAVÉS DEL SOPORTE de la SUPERFICIE de FS1M AYUNAN voltaje reverso del RECTIFICADOR de la RECUPERACIÓN - 50 a 1000 voltios de corriente delantera -1,0 amperios

 

 

 

CARACTERÍSTICAS
 
  1. El paquete plástico lleva la clasificación 94V-0 de la inflamabilidad del laboratorio de los suscriptores
  2. Para la superficie salida reversa baja montada de los usos
  3. Alivio de tensión incorporado, ideal para la alta capacidad delantera automatizada de la sobretensión de la colocación
  4. El soldar de alta temperatura garantizado: 250 segundos C/10 en los terminales
  5. Empalme apaciguado vidrio del microprocesador

 

DATOS MECÁNICOS

 

 

Caso: Cuerpo plástico moldeado DO-214AC de JEDEC sobre microprocesador apaciguado

Terminales: Soldadura plateada, solderable por MIL-STD-750, método 2026

Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo

Posición de montaje: Ningunos

Peso: 0,002 onzas, 0,07 gramos

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario.

La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.

Número de catálogo de MDDSÍMBOLOSFS1AFS1BFS1DFS1GFS1JFS1KFS1MUNIDADES
Voltaje reverso máximo repetidor máximoVRRM501002004006008001000VOLTIOS
Voltaje máximo del RMSVRMS3570140280420560700VOLTIOS
Voltaje de bloqueo máximo de DCVDC501002004006008001000VOLTIOS

Corriente adelante rectificada media máxima

en TL =90 C

I (SISTEMA DE PESOS AMERICANO)1,0Amperio

Sobretensión delantera máxima

8.3ms escogen la media onda sinusoidal sobrepuesta en la carga clasificada (el método de JEDEC)

 

IFSM

 

30,0

 

Amperios

Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0AVF1,3Voltios

Corriente reversa máxima TA =25 C de DC

en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA =100 C

IR

5,0

50,0

mA
Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1)trr150250500ns
Capacitancia de empalme típica (NOTA 2)CJ15,0PF
Resistencia termal típica (NOTA 3)RqJA50,0C/W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamientoTJ, TSTG-65 a +150C

 

 

 

Nota:

1. Condición reversa IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de la recuperación

2. Medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V

3. Resistencia termal del empalme a ambiente en 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m), PWB montado

 

 

GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS FS1A CON FS1M

 

 

 

 

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