Transferencia rápida dual RθJA 250mW del diodo de transferencia de BAV16W/1N4148W
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:BAV16W
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
El diodo de transferencia 1SS184 BAV16W/1N4148W AYUNA DIODO de TRANSFERENCIA
CARACTERÍSTICAS
Ÿ ayunan velocidad de transferencia
Paquete del soporte de la superficie de Ÿ adecuado idealmente para la inserción automática
Ÿ para los usos de fines generales de la transferencia
Alta conductancia de Ÿ
MARCADO: T6, T4
| 1N4148W | BAV16W |
T4
T4 | T6
T6 |
La barra de la marca indica el cátodo
Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal.
Grados máximos y características eléctricas, solo diodo @Ta=25℃
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje reverso máximo sin repetición | VRM | 100 | V |
Voltaje reverso máximo repetidor máximo que trabaja voltaje reverso máximo Voltaje de bloqueo de DC | VRRM VRWM VR |
100 |
V |
| Voltaje reverso del RMS | VR (RMS) | 71 | V |
| Corriente continua delantera | IFM | 300 | mA |
| La media rectificó la corriente de salida | IO | 150 | mA |
| Sobretensión delantera máxima sin repetición @t=8.3ms | IFSM | 2,0 | A |
| Disipación de poder 1N4148W BAV16W |
Paladio | 350 400 |
mW |
| Resistencia termal del empalme a ambiente (nota 1) | RθJA | 250 |
℃/W |
| Temperatura de empalme | Tj | 150 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55~+150 | ℃ |
Nota 1: El dispositivo montó en 1"” PWB de FR4 x1, cobre del solo-lado 1oz.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Grados eléctricos @Ta=25℃
| Parámetro | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | Condiciones |
Voltaje delantero | VF1 | 0,715 | V | IF=1mA | ||
| VF2 | 0,855 | V | IF=10mA | |||
| VF3 | 1,0 | V | IF=50mA | |||
| VF4 | 1,25 | V | IF=150mA | |||
Corriente reversa | IR1 | 1 | μA | VR=75V | ||
| IR2 | 25 | nA | VR=20V | |||
| Capacitancia entre los terminales | CT | 2 | PF | VR=0V, f=1MHz | ||
Tiempo de recuperación reversa |
trr |
4 |
ns | IF=IR=10mA Irr=0.1XIR, RL=100Ω |
Transferencia rápida dual RθJA 250mW del diodo de transferencia de BAV16W/1N4148W
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