Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:MMBT4403
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MMBT4403 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Transistor de transferencia
Marcado: 2T
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | -40 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | -40 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -5 | V |
| IC | Corriente de colector | -600 | mA |
| PC | Disipación de poder del colector | 300 | mW |
| RΘJA | Resistencia termal del empalme a ambiente | 417 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo
contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, ES DECIR =0 | -40 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=-1mA, IB=0 | -40 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=-35V, ES DECIR =0 | -0,1 | μA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEX | VCE=-35V, VBE=0.4V | -0,1 | μA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
Aumento actual de DC | hFE1 | VCE=-1V, IC=-0.1mA | 30 | |||
| hFE2 | VCE=-1V, IC=-1mA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=-1V, IC=-10mA | 100 | ||||
| hFE4 | VCE=-2V, IC=-150mA | 100 | 300 | |||
| hFE5 | VCE=-2V, IC=-500mA | 20 | ||||
voltaje de saturación del Colector-emisor |
VCE (sentado) | IC=-150mA, IB=-15mA | -0,4 | V | ||
| IC=-500mA, IB=-50mA | -0,75 | V | ||||
Voltaje de saturación del emisor de base |
VBE (sentado) | IC=-150mA, IB=-15mA | -0,95 | V | ||
| IC=-500mA, IB=-50mA | -1,3 | V | ||||
| Frecuencia de la transición | fT | VCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz | 200 | Megaciclo | ||
| Tiempo de retraso | td | VCC=-30V, VBE (apagado) =-0.5V IC=-150mA, IB1=-15mA | 15 | ns | ||
| Tiempo de subida | tr | 20 | ns | |||
| Tiempo de almacenamiento | ts | VCC=-30V, IC=-150mA IB1=IB2=-15mA | 225 | ns | ||
| Tiempo de caída | tf | 60 | ns |
Characterisitics típico
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REFERENCIAS | 0,022 REFERENCIAS | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto
Carro de la investigación
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