Voltaje bajo -5V NPN de transferencia de B772 del emisor de alto voltaje del transistor
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:B772
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores B772 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Transferencia de poca velocidad
Marcado: B772
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | -40 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | -30 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -6 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | -3 | A |
| PC | Disipación de poder del colector | 0,5 | W |
| RӨJA | Resistencia termal, empalme a ambiente | 250 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo
contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, ES DECIR =0 | -40 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB= -40V, ES DECIR =0 | -1 | μA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
| Aumento actual de DC | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=-2A, IB= -0.2A | -0,5 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC=-2A, IB= -0.2A | -1,5 | V | ||
Frecuencia de la transición |
fT | VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
Megaciclo |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
| b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
| b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
| c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
| D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
| D1 | 1,550 REFERENCIA. | 0,061 REFERENCIAS. | ||
| E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
| E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
| e | 1,500 TIPO. | 0,060 TIPOS. | ||
| e1 | 3,000 TIPO. | 0,118 TIPOS. | ||
| L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
CLASIFICACIÓN DELFEde h
| Fila | R | O | Y | GR |
| Gama | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
Voltaje bajo -5V NPN de transferencia de B772 del emisor de alto voltaje del transistor
Carro de la investigación
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