Transistores encapsulados plásticos del transistor de poder del silicio de MMBTA55 NPN SOT-23
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:MMBTA55
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Proveedor Último login veces:
Dentro de 14 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MMBTA55 (NPN)
CARACTERÍSTICA
l transistores de conductor
Marcado: 2H
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | -60 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | -60 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -4 | V |
| IC | Corriente de colector | -500 | mA |
| PC | Disipación de poder del colector | 225 | mW |
| RΘJA | Resistencia termal del empalme a ambiente | 556 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo
contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=-100ΜA, IE=0 | -60 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=-1mA, IB=0 | -60 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | IE=-100ΜA, IC=0 | -4 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=-60V, IE=0 | -0,1 | µA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE=-60V, IB=0 | -0,1 | µA | ||
| Aumento actual de DC | hFE (1) | VCE=-1V, IC=-10mA | 100 | 400 | ||
| hFE (2) | VCE=-1V, IC=-100mA | 100 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=-100mA, IB=-10mA | -0,25 | V | ||
| Voltaje del emisor de base | VBE | VCE=-1V, IC=-100mA | -1,2 | V | ||
| Frecuencia de la transición | pie | VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz | 50 | Megaciclo |
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REFERENCIAS | 0,022 REFERENCIAS | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Transistores encapsulados plásticos del transistor de poder del silicio de MMBTA55 NPN SOT-23
Carro de la investigación
0