transistores de poder de la extremidad de 1.25W NPN D882 TO-251-3L plásticos - transistores encapsulados

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:D882
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
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Shenzhen Guangdong China
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Detalles del producto

TO-251-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Disipación de poder

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
 

SímboloParámetroValorUnidad
VCBOVoltaje de la Colector-base40V
VCEOVoltaje del Colector-emisor30V
VEBOVoltaje de la Emisor-base6V
ICCorriente de colector - continua3A
PCDisipación de poder del colector1,25W
TJTemperatura de empalme150
TstgTemperatura de almacenamiento-55-150

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

ParámetroSímboloCondiciones de pruebaMinutoTipoMáximoUnidad
voltaje de avería de la Colector-baseV (BR) CBOIC = 100μA, ES DECIR =040  V
voltaje de avería del Colector-emisor(BR) CEO VIC = 10mA, IB=030  V
voltaje de avería de la Emisor-baseV (BR) EBOES DECIR = 100μA, IC=06  V
Corriente de atajo de colectorICBOVCB= 40 V, ES DECIR =0  1µA
Corriente de atajo de colectorICEOVCE= 30 V, IB=0  10µA
Corriente del atajo del emisorIEBOVEB= 6 V, IC=0  1µA
Aumento actual de DChFEVCE= 2 V, IC= 1A60 400 
voltaje de saturación del Colector-emisorVCE (sentado)IC= 2A, IB= 0,2 A  0,5V
Voltaje de saturación del emisor de baseVBE (sentado)IC= 2A, IB= 0,2 A  1,5V

 

Frecuencia de la transición

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

FilaROYGR
Gama60-120100-200160-320200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 

 


 
 

 

China transistores de poder de la extremidad de 1.25W NPN D882 TO-251-3L plásticos - transistores encapsulados supplier

transistores de poder de la extremidad de 1.25W NPN D882 TO-251-3L plásticos - transistores encapsulados

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