Material del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:B772M
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
TO-251-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores B772M (PNP)
CARACTERÍSTICAS
Transferencia de poca velocidad
GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | -40 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | -30 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -6 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | -3 | A |
| PC | Disipación de poder del colector | 1,25 | W |
| RӨJA | Resistencia termal, empalme a ambiente | 100 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55-150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, ES DECIR =0 | -40 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB= -40V, ES DECIR =0 | -1 | μA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
| Aumento actual de DC | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=-2A, IB= -0.2A | -0,5 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC=-2A, IB= -0.2A | -1,5 | V | ||
Frecuencia de la transición | pie | VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
Megaciclo |
CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)
| Fila | R | O | Y | GR |
| Gama | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
| A | 2,200 | 2,380 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| B | 0,800 | 1,400 | 0,031 | 0,055 |
| b | 0,710 | 0,810 | 0,028 | 0,032 |
| c | 0,460 | 0,560 | 0,018 | 0,022 |
| c1 | 0,460 | 0,560 | 0,018 | 0,022 |
| D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
| D1 | 5,130 | 5,460 | 0,202 | 0,215 |
| E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
| e | 2,286 TIPO. | 0,090 TIPOS. | ||
| e1 | 4,327 | 4,727 | 0,170 | 0,186 |
| M | 1.778REF. | 0.070REF. | ||
| N | 0.762REF. | 0.018REF. | ||
| L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
| L1 | 2.9REF. | 0.114REF. | ||
| L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
| V | 4,830 REFERENCIA. | 0,190 REFERENCIAS. | ||
| ĭ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0.0±1 |
Material del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V
Carro de la investigación
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