Transistores de poder de la extremidad de MMBT4401 SOT-23 rápidamente que cambian el voltaje bajo 6 V del emisor

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:MMBT4401
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores FMMT491 (NPN)
 
 

CARACTERÍSTICA
 

 Transistor de transferencia

Marcado: 2X

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

SímboloParámetroValorUnidad
VCBOVoltaje de la Colector-base60V
VCEOVoltaje del Colector-emisor40V
VEBOVoltaje de la Emisor-base6V
ICCorriente de colector600mA
PCDisipación de poder del colector300mW
RΘJAResistencia termal del empalme a ambiente417℃/W
TjTemperatura de empalme150
TstgTemperatura de almacenamiento-55~+150

 

 

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

ParámetroSímboloCondiciones de pruebaMinutoTipoMáximoUnidad
voltaje de avería de la Colector-baseV (BR) CBOIC=100μA, ES DECIR =060  V
voltaje de avería del Colector-emisor(BR) CEO VIC=1mA, IB=040  V
voltaje de avería de la Emisor-baseV (BR) EBOES DECIR =100ΜA, IC=06  V
Corriente de atajo de colectorICBOVCB=50V, ES DECIR =0  0,1μA
Corriente de atajo de colectorICEXVCE=35V, VEB=0.4V  0,1μA
Corriente del atajo del emisorIEBOVEB=5V, IC=0  0,1μA

 

 

 

Aumento actual de DC

hFE1VCE=1V, IC=0.1mA20   
 hFE2VCE=1V, IC=1mA40   
 hFE3VCE=1V, IC=10mA80   
 hFE4VCE=1V, IC=150mA100 300 
 hFE5VCE=2V, IC=500mA40   

 

voltaje de saturación del Colector-emisor

 

VCE (sentado)

IC=150mA, IB=15mA  0,4V
  IC=500mA, IB=50mA  0,75V

 

Voltaje de saturación del emisor de base

 

VBE (sentado)

IC=150mA, IB=15mA  0,95V
  IC=500mA, IB=50mA  1,2V
Frecuencia de la transiciónfTVCE=10V, IC=20mA, f =100MHz250  Megaciclo
Tiempo de retrasotd

VCC=30V, VBE (apagado) =-2V

IC=150mA, IB1=15mA

  15ns
Tiempo de subidatr   20ns
Tiempo de almacenamientots

VCC=30V, IC=150mA

IB1=IB2=15mA

  225ns
Tiempo de caídatf   60ns

 
 
 

Medido bajo condiciones pulsadas, pulso width=300μs, deber el cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics típico  
 
 

 
 
 
 Dimensiones del esquema del paquete
 

SímboloDimensiones en milímetrosDimensiones en pulgadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPOS0,037 TIPOS
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 REFERENCIAS0,022 REFERENCIAS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 



 
 
 
 

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Transistores de poder de la extremidad de MMBT4401 SOT-23 rápidamente que cambian el voltaje bajo 6 V del emisor

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