temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte superficial de los transistores de la serie de la extremidad 2N3904 alta -55-150
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:2N3904
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 2N3904 (NPN).
CARACTERÍSTICA
Transistor planar epitaxial del silicio de Ÿ NPN para cambiar y los usos del amplificador
Ÿ como tipo complementario, el transistor 2N3906 de PNP se recomienda
Este transistor de Ÿ está también disponible en el caso SOT-23 con el tipo designación MMBT3904
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Número de parte | Paquete | Método del embalaje | Cantidad del paquete |
| 2N3904 | TO-92 | Bulto | 1000pcs/Bag |
| 2N3904-TA | TO-92 | Cinta | 2000pcs/Box |
GRADOS MÁXIMOS (TA =25Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 60 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 40 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 6 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 0,2 | A |
| PC | Disipación de poder del colector | 0,625 | W |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55-150 | Š |
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=10ΜA, ES DECIR =0 | 60 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC= 1mA, IB=0 | 40 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR = 10µA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=60V, ES DECIR =0 | 0,1 | µA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEX | VCE=30V, VEB(apagado) =3V | 0,05 | µA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB= 5V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Aumento actual de DC | hFE1 | VCE=1V, IC=10mA | 100 | 400 | ||
| hFE2 | VCE=1V, IC=50mA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=1V, IC=100mA | 30 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=50mA, IB=5mA | 0,3 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC=50mA, IB=5mA | 0,95 | V | ||
| Frecuencia de la transición | fT | VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz | 300 | MHZ | ||
| Tiempo de retraso | td | VCC=3V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1mA | 35 | ns | ||
| Tiempo de subida | tr | 35 | ns | |||
| Tiempo de almacenamiento | ts | VCC=3V, IC=10mA IB1=IB2=1mA | 200 | ns | ||
| Tiempo de caída | tf | 50 | ns |
CLASIFICACIÓN de hFE1
| Fila | O | Y | G |
| Nge del Ra | 100-200 | 200-300 | 300-400 |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín
Disposición sugerida TO-92 del cojín
TO-92 7DSH DQG 5HHO
temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte superficial de los transistores de la serie de la extremidad 2N3904 alta -55-150
Carro de la investigación
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