Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:3DD13002B
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13002B (NPN)
CARACTERÍSTICA
Usos de la transferencia del poder
MARCADO
código 13002B=Device
El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal
XXX=Code
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Número de parte | Paquete | Método del embalaje | Cantidad del paquete |
| 3DD13002B | TO-92 | Bulto | 1000pcs/Bag |
| 3DD13002B-TA | TO-92 | Cinta | 2000pcs/Box |
GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 600 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 400 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 6 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 0,8 | A |
| PC | Disipación de poder del colector | 0,9 | W |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55 ~ 150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo |
Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=100μA, ES DECIR =0 | 600 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=1mA, IB=0 | 400 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB= 600V, ES DECIR =0 | 100 | µA | ||
| ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 100 | µA | |||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 100 | µA | ||
Aumento urrent de DC c | hFE1 | VCE= 10 V, IC=200mA | 9 | 40 | ||
| hFE2 | VCE= 10 V, IC=0.25mA | 5 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=200mA, IB=40mA | 0,5 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC=200mA, IB=40mA | 1,1 | V | ||
Frecuencia de la transición |
fT | VCE=10V, IC=100mA f =1MHz |
5 |
Megaciclo | ||
| Tiempo de caída | tf |
IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Tiempo de almacenamiento | ts | 2,5 | µs |
CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)
| Gama | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete TO-92
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| Φ | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B
Carro de la investigación
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