Paladio encapsulado plástico 625mW de los transistores de poder de la extremidad de M28S NPN TO-92

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:M28S
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A94 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA

 

Alto DC aumento actual de Ÿ y capacidad actual grande

 

 

MARCADO

Código de M28S=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea,

 

si ninguno, el dispositivo normal

Z=Rank del hFE, XXX=Code

 

 

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de partePaqueteMétodo del embalajeCantidad del paquete
M28STO-92Bulto1000pcs/Bag
M28S-TATO-92Cinta2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloMetro de ParaValorUnidad
VCBOVoltaje de la Colector-base40V
VCEOVoltaje del Colector-emisor20V
VEBOVoltaje de la Emisor-base6V
ICCorriente de colector - continua1A
PDDisipación de poder del colector625mW
R0 JALa termal resiste el empalme de la ROM del ance f a ambiente200Š/W
TjTemperatura de empalme150Š
TstgTemperatura de almacenamiento-55 ~+150Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

 

ParámetroSímboloCondiciones de pruebaMinutoTipoMáximoUnidad
voltaje de avería de la Colector-baseV (BR) CBOIC= 0.1mA, ES DECIR =040  V
voltaje de avería del Colector-emisor(BR) CEO VIC=1mA, IB=020  V
voltaje de avería de la Emisor-baseV (BR) EBOES DECIR =0.1MA, IC=06  V
Corriente de atajo de colectorICBOVCB=40V, ES DECIR =0  1µA
Corriente de atajo de colectorICEOVCE=20V, IB=0  5µA
Corriente del atajo del emisorIEBOVEB=5V, IC=0  0,1µA

 

 

Aumento actual de DC

hFE (1)VCE=1V, IC=1mA290   
 hFE (2)VCE=1V, IC=100mA300 1000 
 hFE (3)VCE=10V, IC=300mA300   
 hFE (4)VCE=1V, IC=500mA300   
voltaje de saturación del Colector-emisorVCE (sentado)IC=600mA, IB=20mA  0,55V
Frecuencia de la transiciónfTVCE=10V, ES DECIR =50mA, f=30MHz100  Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

FILABCD
GAMA300-550500-700650-1000

 

 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

SímboloDimensiones en milímetrosDimensiones en pulgadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A3,3003,7000,1300,146
A11,1001,4000,0430,055
b0,3800,5500,0150,022
c0,3600,5100,0140,020
D4,3004,7000,1690,185
D13,430 0,135 
E4,3004,7000,1690,185
e1,270 TIPO0,050 TIPOS
e12,4402,6400,0960,104
L14,10014,5000,5550,571
0 1,600 0,063
h0,0000,3800,0000,015

 

 

China Paladio encapsulado plástico 625mW de los transistores de poder de la extremidad de M28S NPN TO-92 supplier

Paladio encapsulado plástico 625mW de los transistores de poder de la extremidad de M28S NPN TO-92

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