Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:D965
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D965 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Amplificador audio de Ÿ
Unidad del flash de Ÿ de cámara
Circuito de la transferencia de Ÿ
MARCADO
Código de D965=Device
El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea,
si ninguno, el dispositivo normal
Z=Rank del hFE, XXX=Code
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Número de parte | Paquete | Método del embalaje | Cantidad del paquete |
| D965 | TO-92 | Bulto | 1000pcs/Bag |
| D965-TA | TO-92 | Cinta | 2000pcs/Box |
GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Metro de Para | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 42 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 22 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 6 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 5 | A |
| PD | Disipación de poder del colector | 750 | mW |
| R0 JA | La termal resiste el empalme de la ROM del ance f a ambiente | 166,7 | Š/W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura del orage del St | -55 ~+150 | Š |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | MINUTO | TIPO | Max | UNIDAD |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=0.1mA, ES DECIR =0 | 42 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=1mA, IB=0 | 22 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR = 10µA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=30V, ES DECIR =0 | 0,1 | µA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=6V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Aumento actual de DC | hFE (1) | VCE=2V, IC= 0,15 mA | 150 | |||
| hFE (2) | VCE= 2V, IC = 500 mA | 340 | 2000 | |||
| hFE (3) | VCE=2V, IC = 2A | 150 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=3000mA, IB=100 mA | 0,35 | V | ||
| Frecuencia de la transición | fT | VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz | 150 | Megaciclo |
CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)
| Fila | R | T | V |
| Gama | 340-600 | 560-950 | 900-2000 |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto
Carro de la investigación
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