Transistores de poder de la extremidad de A94 PNP rápidamente que cambian el tipo del triodo del semiconductor del silicio
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:A94
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A94 (PNP)
CARACTERÍSTICA
Alto voltaje de avería
MARCADO
Código de A94=Device
El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal
Z=Rank del hFE
XXX=Code
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Número de parte | Paquete | Método del embalaje | Cantidad del paquete |
| A94 | TO-92 | Bulto | 1000pcs/Bag |
| A94-TA | TO-92 | Cinta | 2000pcs/Box |
GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la ector-base de Coll | -400 | V |
| VCEO | Voltaje del ector-emisor de Coll | -400 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -5 | V |
| IC | Corriente del ector de Coll - continua | -0,2 | A |
| ICM | Corriente del ector de Coll - pulsada | -0,3 | A |
| PC | Disipación de poder del ector de Coll | 625 | mW |
| RθJA | La termal resiste ance del empalme a ambiente | 200 | ℃ /W |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=-100ΜA, ES DECIR =0 | -400 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=-1mA, IB=0 | -400 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=-400V, ES DECIR =0 | -0,1 | μA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE=-400V, IB=0 | -5 | μA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
Aumento actual de DC | hFE (1) | VCE=-10V, IC=-10mA | 80 | 300 | ||
| hFE (2) | VCE=-10V, IC=-1mA | 70 | ||||
| hFE (3) | VCE=-10V, IC=-100mA | 60 | ||||
| hFE (4) | VCE=-10V, IC=-50mA | 80 | ||||
voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) (1) | IC=-10mA, IB=-1mA | -0,2 | V | ||
| VCE (sentado) (2) | IC=-50mA, IB=-5mA | -0,3 | V | |||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC=-10mA, IB=-1mA | -0,75 | V | ||
| Frecuencia de la transición | fT | VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz | 50 | Megaciclo |
CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)
| FILA | A | B | C |
| GAMA | 80-100 | 100-200 | 200-300 |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Transistores de poder de la extremidad de A94 PNP rápidamente que cambian el tipo del triodo del semiconductor del silicio
Carro de la investigación
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