Carga baja de la puerta del MOSFET del canal del transistor de poder del Mosfet del silicio WSF6012 N/P
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:WSF6012
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Proveedor Último login veces:
Dentro de 14 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
QM4803D N-Ch y MOSFET del P-canal
Descripción
El WSF6012 es el rendimiento más alto
MOSFET N-ch y P-ch del foso con extremo
alta densidad de célula, que proporcionan excelente
RDSON y carga de la puerta para la mayor parte de
usos síncronos del convertidor del dólar.
La reunión WSF6012 el RoHS y el verde
Requisito del producto, el 100% EAS
garantizado con confiabilidad completa de la función
aprobado.
Características
tecnología avanzada del foso de la densidad de célula de z alta
carga baja estupenda de la puerta de z
disminución excelente del efecto de z CdV/dt
z el 100% EAS garantizado
dispositivo del verde de z disponible
Usos
- convertidor síncrono del dólar de la Punto-de-carga de alta frecuencia de z para MB/NB/UMPC/VGA
- sistema eléctrico del establecimiento de una red DC-DC de z
- inversor del contraluz de z CCFL
Producto veraniego
Grados máximos absolutos
Datos termales
Características eléctricas del canal N (℃ TJ=25, a menos que se
indicare en forma diferente)
Características garantizadas de la avalancha
Características de diodo
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 tablero de
inch2 FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la
anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. La disipación de poder es limitada por temperatura de empalme
150℃
4. Los datos son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM,
en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
Características eléctricas del P-canal (℃ TJ=25, a menos que se
indicare en forma diferente)
Características garantizadas de la avalancha
Características de diodo
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 inch2
Tablero FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la
anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. La disipación de poder es limitada por datos de la temperatura
de empalme 150℃ 4.The es teóricamente lo mismo que la
identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la
disipación de poder total.
Características típicas del canal N
Características típicas del P-canal
Carga baja de la puerta del MOSFET del canal del transistor de poder del Mosfet del silicio WSF6012 N/P
Carro de la investigación
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