Carga baja de la puerta del MOSFET del canal del transistor de poder del Mosfet del silicio WSF6012 N/P

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:WSF6012
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Proveedor Último login veces: Dentro de 14 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
QM4803D N-Ch y MOSFET del P-canal
 

 

Descripción

 

El WSF6012 es el rendimiento más alto

MOSFET N-ch y P-ch del foso con extremo

alta densidad de célula, que proporcionan excelente

RDSON y carga de la puerta para la mayor parte de

usos síncronos del convertidor del dólar.

 

La reunión WSF6012 el RoHS y el verde

Requisito del producto, el 100% EAS

garantizado con confiabilidad completa de la función

aprobado.

 

 

Características
 
tecnología avanzada del foso de la densidad de célula de z alta
carga baja estupenda de la puerta de z
disminución excelente del efecto de z CdV/dt
z el 100% EAS garantizado
dispositivo del verde de z disponible

 

 

Usos

 

  • convertidor síncrono del dólar de la Punto-de-carga de alta frecuencia de z para MB/NB/UMPC/VGA
  • sistema eléctrico del establecimiento de una red DC-DC de z
  • inversor del contraluz de z CCFL

 

 

Producto veraniego
 
 
 
Grados máximos absolutos

 

 

 

Datos termales
 
 
Características eléctricas del canal N (℃ TJ=25, a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
 
 
 
Características garantizadas de la avalancha
 
 
 
 
Características de diodo
 
 
 
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 tablero de inch2 FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. La disipación de poder es limitada por temperatura de empalme 150℃
4. Los datos son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
 
 
Características eléctricas del P-canal (℃ TJ=25, a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
Características garantizadas de la avalancha
 
 
Características de diodo
 
 
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 inch2
Tablero FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. La disipación de poder es limitada por datos de la temperatura de empalme 150℃ 4.The es teóricamente lo mismo que la identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
 
 
Características típicas del canal N
 
 
 
 
Características típicas del P-canal
 
 
 
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Carga baja de la puerta del MOSFET del canal del transistor de poder del Mosfet del silicio WSF6012 N/P

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