MOSFET complementario RDS (ENCENDIDO) los < 30m del transistor de poder del Mosfet de HXY4606 30V
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:HXY4606
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MOSFET complementario de HXY4606 30V
Descripción
El HXY4606 utiliza technologyMOSFETs avanzados del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y el gatecharge bajo. Los MOSFETs complementarios pueden ser toform usado al alto interruptor lateral desplazado nivel, y para los usos de un ofother del anfitrión.
Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare
en forma diferente)
A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.
el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.
B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s. C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar el initialTJ=25°C.
D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.
E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando los pulsos de <300µs, máximo del ciclo de trabajo 0,5%.
F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente que se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.
Canal N: CARACTERÍSTICA ELÉCTRICA Y TERMAL TÍPICA
Características eléctricas del P-canal (TJ=25°C a menos que se
indicare en forma diferente)
A. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en tablero
de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire
inmóvil con TA =25°C.
el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del
tablero del usuario.
B. El paladio de la disipación de poder se basa en TJ (max) =150°C,
usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.
C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la
temperatura de empalme TJ (max) =150°C. se basa en de baja fricción
y ciclos de trabajo para guardar
initialTJ=25°C.
D. El RθJA es la suma de la impedancia termal del empalme para
llevar RθJL y a llevar a ambiente.
E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen
usando los pulsos de <300µs, máximo del ciclo de trabajo 0,5%.
F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente
con la cual se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2
FR-4
2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme
máxima de TJ (max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo
grado del pulso.
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P-canal: CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
MOSFET complementario RDS (ENCENDIDO) los < 30m del transistor de poder del Mosfet de HXY4606 30V
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