MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:20G04S
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET del modo del aumento de 20G04S 40V N+P-Channel
Descripción
El foso avanzado de las aplicaciones 20G04S
tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta.
Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a
el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro
usos
Características generales
Canal N
VDS =40V, ID =20A
RDS(ENCENDIDO) < 35mΩ @ VGS=10V
RDS(ENCENDIDO) < 42mΩ @ VGS=4.5V
P-canal
VDS =-40V, ID = -18A
RDS(ENCENDIDO) <40MΩ @ VGS=-10V
RDS(ENCENDIDO) < 70mΩ @ VGS=-4.5V
Poder más elevado y capacidad que da actual
Se adquiere el producto sin plomo
Paquete superficial del soporte
Uso
Uso de la transferencia del poder del ●
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●
Sistema de alimentación ininterrumpida del ●
Marca del paquete e información el ordenar
Grados máximos absolutos (TC=25℃ a menos que se indicare en forma
diferente)
Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare
en forma diferente)
Características eléctricas de P-CH (TA=25℃ a menos que se indicare
en forma diferente)
Notas:
1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de
empalme máxima.
2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del
ciclo de trabajo.
4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción
Características típicas del canal N
Características típicas del P-canal
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P
Carro de la investigación
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