Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:6G03S
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET del modo del aumento de 6G03S 30V N+P-Channel
Descripción
El foso avanzado de las aplicaciones 6G03S
tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta.
Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a
el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro
usos
Características generales
P-canal del canal N
Canal N
VDS = 30V, ID =6.5A
RDS(ENCENDIDO) < 16mΩ@ VGS=10V
P-canal
VDS = -30V, ID = -7A
RDS(ENCENDIDO) < 37mΩ @ VGS=-10V
Poder más elevado y capacidad que da actual
Se adquiere el producto sin plomo
Paquete superficial del soporte
Uso
Uso de la transferencia del poder del ●
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●
Sistema de alimentación ininterrumpida del ●
Marca del paquete e información el ordenar
Grados máximos absolutos (TC=25℃ a menos que se indicare en forma
diferente)
Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare
en forma diferente)
Notas:
1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de
empalme máxima.
2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del
ciclo de trabajo.
4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción
características eléctricas del canal de 30V N+P-Channel EnhancemeN-
y termales típicas (curvas)
Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V
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