Carga baja de la puerta del Mosfet de 5G03SIDF 30V del soporte superficial dual del interruptor
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:5G03SIDF
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Proveedor Último login veces:
Dentro de 14 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFET del modo del aumento de 5G03SIDF 30V N+P-Channel
Descripción
El foso avanzado de las aplicaciones 5G03S/DF
tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta.
Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a
el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro
usos
Características generales
Canal N
VDS = 30V, ID =8A
RDS(ENCENDIDO) los < 20m Ω@ VGS=10V
P-canal
VDS = -30V, ID = -6.2A
RDS(ENCENDIDO) < -50MΩ@ VGS=-10V
Uso
Uso de la transferencia del poder
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
Sistema de alimentación ininterrumpida
Marca del paquete e información el ordenar
Nota:
1, grado repetidor: Anchura pulsada limitada por temperatura de empalme máxima.
2, VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=17A., RG=25, comenzando TJ=25℃.
3, los datos probados por pulsado, ≦ 300us, ≦ el 2%. 4, esencialmente independientede la anchura de pulso del ciclo de trabajo de la temperatura de funcionamiento.
Carga baja de la puerta del Mosfet de 5G03SIDF 30V del soporte superficial dual del interruptor
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