MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:8205A
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulan el MOSFET dual del canal N de los MOSFETS
Descripción general
VDSS= V ID= 6,0 A z 20 | G1 6 | D1, D2 5 | G2 4 | |||||
| z | RDS (encendido) < Ω@V = 4.5V los 25m GS | |||||||
| z | RDS (encendido) < Ω@V = 2.5V los 32m GS | 1 2 3 S1 D1, D2 S2 | ||||||
CARACTERÍSTICA
MOSFET del poder de z TrenchFET
z R excelenteDS(encendido)
carga baja de la puerta de z
poder más elevado de z y capacidad que da actual
paquete del soporte de la superficie de z
USO
protección de la batería de z
interruptor de la carga de z
gestión del poder de z
| Tipo mínimo unidad máxima de la condición de prueba del símbolo del parámetro |
| CHARACTERICTISCS ESTÁTICO |
| voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS VGS = 0V, identificación =250µA 19 V |
| Dren cero IDSS actual VDS =18V, del voltaje de la puerta µA VGS = 0V 1 |
| salida IGSS actual VGS =±10V, nA del Puerta-cuerpo de VDS = de 0V ±100 |
| Bloquee el voltaje del umbral (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificación =250µA 0,5 0.9V |
| Remita el tranconductance (gFS VDS =5V, identificación =4.5A 10 S de la nota 3) |
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V |
| CHARACTERICTISCS DINÁMICO (note4) |
| CISS de la capacitancia de la entrada 800 PF |
| Capacitancia de salida Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF |
| Capacitancia reversa Crss 125 PF de la transferencia |
| TRANSFERENCIA CHARACTERICTISCS (nota 4) |
| Tiempo de retraso de abertura TD (encendido) 18 ns |
| Tiempo de subida de abertura tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns |
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado TD (apagado) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns |
| Tiempo de caída de la vuelta-apagado tf 20 ns |
| Carga total Qg 11 nC de la puerta |
| Carga Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC de la Puerta-fuente |
| Carga Qgd 2,5 nC del Puerta-dren |
Notas:
1. Grado repetidor: Anchura de Pluse limitada por temperatura de empalme máxima
2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec t≤10.
3. Prueba del pulso: Pulso width≤300μs, deber el cycle≤2%.
4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción.
Dimensiones del esquema del paquete de SOT-23-6L
MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS
Carro de la investigación
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