El inductor de alta frecuencia del microprocesador de la herida del alambre, Smd protegió el inductor MDRH4D28SG1R0N
Número de modelo:MDRH4D28SG1R0N
Lugar del origen:Guangdong, Shenzhen
Cantidad de orden mínima:500/1000
Condiciones de pago:TT, paypal, Unión Occidental
Capacidad de la fuente:1kk-pcs/month
Plazo de expedición:Acción o 3 semanas
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706, Huafa xiezilou, Huafa North Rd., Gongming Street, 518106, SHEN ZHEN, CHINA
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Inductor de alta frecuencia Wirewound del poder de herida del alambre del smd de MDRH4D28SG1R0N
La temperatura de funcionamiento sonó: -40℃ a 100℃
La temperatura de almacenamiento sonó: -40℃ a 100℃
Temperatura máxima del flujo: 250℃
Final del Pin: Lata sumergida caliente
especificación 1.Electrical en 25℃
2.Inductance probó en 100KHz, 0.25Vrms
3.Isat es la corriente de DC en la cual el descenso el 35% de la inductancia máximo de su valor sin corriente
4.Irms es la corriente que causó una subida aproximada de la temperatura 40℃ a partir del ℃ el 25 ambiente.
| Número de parte | Inductancia (uH) | Tolerancia (el ±%) | DCR Max (Ω) | Isat (a) | Irms (a) |
| MDRH4D28SG1R0N | 1,0 | 20 | 0,0257 | 2,70 | 2,70 |
| MDRH4D28SG2R2N | 2,2 | 20 | 0,0313 | 2,04 | 2,04 |
| MDRH4D28SG3R0N | 3,0 | 20 | 0,0481 | 1,55 | 1,55 |
| MDRH4D28SG3R9N | 3,9 | 20 | 0,0481 | 1,50 | 1,50 |
| MDRH4D28SG4R7N | 4,7 | 20 | 0,0520 | 1,35 | 1,35 |
| MDRH4D28SG5R6N | 5,6 | 20 | 0,0585 | 1,21 | 1,21 |
| MDRH4D28SG6R8N | 6,8 | 20 | 0,0884 | 1,15 | 1,15 |
| MDRH4D28SG100M | 10 | 20 | 0,1196 | 1,00 | 1,00 |
| MDRH4D28SG120M | 12 | 20 | 0,1404 | 0,840 | 0,840 |
| MDRH4D28SG150M | 15 | 20 | 0,156 | 0,752 | 0,752 |
| MDRH4D28SG180M | 18 | 20 | 0,195 | 0,730 | 0,730 |
| MDRH4D28SG220M | 22 | 20 | 0,247 | 0,700 | 0,700 |
| MDRH4D28SG270M | 27 | 20 | 0,299 | 0,585 | 0,585 |
| MDRH4D28SG330M | 33 | 20 | 0,325 | 0,570 | 0,570 |
| MDRH4D28SG390M | 39 | 20 | 0,351 | 0,520 | 0,520 |
| MDRH4D28SG430M | 43 | 20 | 0,377 | 0,510 | 0,510 |
| MDRH4D28SG470M | 47 | 20 | 0,442 | 0,500 | 0,500 |
| MDRH4D28SG560M | 56 | 20 | 0,468 | 0,420 | 0,420 |
| MDRH4D28SG680M | 68 | 20 | 0,546 | 0,352 | 0,352 |
| MDRH4D28SG820M | 82 | 20 | 0,780 | 0,330 | 0,330 |
| MDRH4D28SG101M | 100 | 20 | 0,858 | 0,300 | 0,300 |
| MDRH4D28SG121M | 120 | 20 | 1,30 | 0,280 | 0,280 |
| MDRH4D28SG151M | 150 | 20 | 1,50 | 0,250 | 0,250 |
| MDRH4D28SG181M | 180 | 20 | 1,60 | 0,230 | 0,230 |
| MDRH4D28SG221M | 220 | 20 | 1,82 | 0,210 | 0,210 |
| MDRH4D28SG271M | 270 | 20 | 2,86 | 0,185 | 0,185 |
| MDRH4D28SG331M | 330 | 20 | 3,25 | 0,170 | 0,170 |
| MDRH4D28SG391M | 390 | 20 | 4,55 | 0,155 | 0,155 |
| MDRH4D28SG471M | 470 | 20 | 5,07 | 0,140 | 0,140 |
| MDRH4D28SG561M | 560 | 20 | 5,46 | 0,130 | 0,130 |
| MDRH4D28SG681M | 680 | 20 | 6,11 | 0,120 | 0,120 |
El inductor de alta frecuencia del microprocesador de la herida del alambre, Smd protegió el inductor MDRH4D28SG1R0N
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