Inductancia superficial durable MOX-HCSM-104 del inductor 0.36uH-13.5uH del poder más elevado del soporte
Número de modelo:MOX-HCSM-104
Lugar del origen:Guangdong, Shenzhen
Cantidad de orden mínima:500/1000
Condiciones de pago:TT, paypal, Unión Occidental
Capacidad de la fuente:1kk-pcs/month
Plazo de expedición:Acción o 3 semanas
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706, Huafa xiezilou, Huafa North Rd., Gongming Street, 518106, SHEN ZHEN, CHINA
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Inductores superficiales 0.36uH del poder más elevado del soporte MOX-HCSM-104 a 13.5uH
Características:
- Diseño de alta frecuencia.
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C.
- Construcción de alambre plano.
- Estabilidad termal excelente.
- MoxiE Inductor Corporation crea disponible para requisitos particulares
- prueba de la inductancia: HP4284A @ 100kHz/1V o equivalente.
- OCL: Parámetros de la prueba de la inductancia del circuito abierto: 100kHz, 0.1Vrms, 0.0Adc.
- El °C de OCL@-40 puede ser más bajo que el °C de OCL@20 por máximo del 15%.
- Los amperios del ¹ de Isat enarbolan para la descarga rodada del aproximadamente 30% (@25°C)
- ² DC de Irms actual para despegue aproximado de 40°C sin pérdida de la base.
- La disposición del PWB, el grueso y la anchura del rastro, la circulación de aire, y la proximidad de componentes termógenos afectarán a la subida de temperatura total.
- El MoxiE recomienda que la temperatura de la pieza para no exceder 125°C bajo uso verificado de las condiciones de funcionamiento del peor caso al final.
- El reducir la capacidad normal es necesario para las corrientes de la CA.
- Temperatura de almacenamiento: -40ºC a +125ºC.
| Número de parte | Inductancia (μH) | DCR (mΩ) Máximo. | ¹ de Isat (a) | ² de Irms (a) |
| MOX-HCSM-104-R36N | 0,36 ± el 30% | 1,7 | 26,0 | 23,0 |
| MOX-HCSM-104-R80M | 0,80 ± el 20% | 3,9 | 17,0 | 15,0 |
| MOX-HCSM-104-1R4M | ± 1,40 el 20% | 4,4 | 14,0 | 13,0 |
| MOX-HCSM-104-2R2M | 2,20 ± el 20% | 8,7 | 10,0 | 9,5 |
| MOX-HCSM-104-3R2M | 3,20 ± el 20% | 10,4 | 8,0 | 8,0 |
| MOX-HCSM-105-R36M | 0,36 ± el 30% | 1,7 | 26,0 | 28,0 |
| MOX-HCSM-105-R80M | 0,80 ± el 20% | 2,5 | 18,0 | 20,0 |
| MOX-HCSM-105-1R4M | ± 1,40 el 20% | 3,2 | 14,0 | 16,0 |
| MOX-HCSM-105-2R2M | 2,20 ± el 20% | 5,8 | 10,0 | 12,0 |
| MOX-HCSM-105-3R2M | 3,20 ± el 20% | 7,2 | 9,0 | 11,0 |
| MOX-HCSM-105-4R3M | 4,30 ± el 20% | 8,5 | 8,0 | 10,0 |
| MOX-HCSM-105-5R7M | 5,70 ± el 20% | 13,2 | 7,0 | 7,6 |
| MOX-HCSM-105-7R2M | 7,20 ± el 20% | 15,5 | 6,2 | 7,0 |
| MOX-HCSM-105-8R8M | 8,80 ± el 20% | 17,2 | 5,6 | 6,0 |
| MOX-HCSM-124-R75M | 0,75 ± el 20% | 3,0 | 14,0 | 13,0 |
| MOX-HCSM-124-1R3M | ± 1,30 el 20% | 4,5 | 13,0 | 12,0 |
| MOX-HCSM-124-2R0M | 2,00 ± el 20% | 6,0 | 11,0 | 10,0 |
| MOX-HCSM-125-R90M | 0,90 ± el 20% | 2,5 | 20,0 | 18,0 |
| MOX-HCSM-125-1R4M | ± 1,40 el 20% | 3,4 | 16,0 | 15,0 |
| MOX-HCSM-125-2R0M | 2,00 ± el 20% | 4,6 | 13,0 | 12,0 |
| MOX-HCSM-125-3R5M | 3,50 ± el 20% | 6,3 | 9,0 | 11,2 |
| MOX-HCSM-125-4R0M | 4,00 ± el 20% | 7,2 | 12,0 | 10,9 |
| MOX-HCSM-125-4R8N | 4,80 ± el 30% | 10,5 | 7,2 | 9,3 |
| MOX-HCSM-125-6R8N | 6,80 ± el 30% | 11,0 | 6,0 | 7,8 |
| MOX-HCSM-125-8R6N | 8,60 ± el 30% | 12,0 | 5,4 | 7,2 |
| MOX-HCSM-125-105N | ± 10,5 el 30% | 13,5 | 4,7 | 6,5 |
Inductancia superficial durable MOX-HCSM-104 del inductor 0.36uH-13.5uH del poder más elevado del soporte
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