Garantía de un año original del módulo de poder del módulo IGBT de 1MBI400NA-120 FUJI
Número de modelo:1MBI400NA-120
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:1pcs
Condiciones de pago:Western Union, T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente:día 5000e
Plazo de expedición:0-2 días
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Guangzhou Hebei China
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10/F, edificio de Jia Yue, camino de Chebei, distrito de Tianhe, Guangzhou, China
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Módulo de poder original del nuevo módulo IGBT del módulo 1MBI400NA-120 FUJI
Categoría de la parte: Transistores
Fabricante: Fuji Electric Corp. de América
Descripción: Transistor bipolar aislado de la puerta, 400A I (C), 1200V V (BR)
CES, N-Channe
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| Descripción del paquete de Mfr | M130, PIN 5 |
| Situación | Interrumpido |
| Colector Actual-máximo (IC) | 400,0 A |
| Colector-emisor Voltaje-máximo | 1200,0 V |
| Configuración | ESCOJA CON EL DIODO INCORPORADO |
| Puerta-emisor Voltaje-máximo | 20,0 V |
| Código JESD-30 | R-XUFM-X5 |
| Número de elementos | 1,0 |
| Número de terminales | 5 |
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