Módulos de Infineon Igbt del control de BTG, módulo de alta frecuencia de BSM150GT120DN2 Igbt

Transistores BSM150GT120DN2 o BSM150GT12ODN2 de Infineon IGBT

BSM150GT120DN2

Descripción de producto

Marca: Infineon

Modelo: BSM150GT120DN2

Método de control: BTG

Número de polos: multipolar

Material de empaquetado: paquete plástico

Forma del paquete: forma plana

Velocidad del cierre: de alta frecuencia (rápido)

Función de enfriamiento: sin el disipador de calor

Características de frecuencia: de alta frecuencia

Características del poder: poder más elevado

Corriente delantera media clasificada: 150 (a)

Controle la corriente del disparador del polo: 125 (mA)

Corriente estable máxima: 150 (a)

Voltaje máximo repetidor reverso: (v) 1200

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