Wafer de zafiro C-Plano a A 1 ° de 99,999% Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" personalizar el grosor

Wafer de zafiro C-Plano a A 1 ° OFF, 99,999% Al2O₃, Diámetro 2"/3"/4"/6"/8", espesor personalizado

Esto...de alta precisión de zafiroLas características de unPlano C hacia el eje A 1° de orientación fuera de cortey99.999% (5N) de pureza, optimizado para un crecimiento epitaxial superior en aplicaciones optoelectrónicas y semiconductoras avanzadas.Diámetros estándar (2" a 8")Con espesores personalizables, proporciona una excepcional uniformidad cristalográfica, una densidad de defectos muy baja y una destacada estabilidad térmica y química.El ángulo de corte controlado de 1 ° mejora la epitaxia de GaN y AlN al reducir los defectos de agrupación de pasos, por lo que es ideal para LEDs de alto rendimiento, diodos láser, electrónica de potencia y dispositivos de RF.

Características clave de las obleas de zafiro

Precisión de orientación fuera del corte

Planos C a eje A 1° ± 0,1° fuera de corte, diseñado para mejorar la uniformidad de la película epitaxial y minimizar los defectos en los dispositivos basados en GaN.

Ultra alta pureza (5N Al)2O3) el

99.999% de purezacon trazas de impurezas (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, garantizando un rendimiento óptimo eléctrico y óptico.

Diámetros: 2", 3", 4", 6", 8" (tolerancia de ± 0,1 mm).

El grosor: 100 μm a 1.500 μm (tolerancia ± 5 μm), adaptados para aplicaciones específicas.

Polvo preparado para epi: Ra < 0,5 nm (lado delantero) para deposición de película delgada libre de defectos.

Estabilidad térmica: Punto de fusión ~ 2,050°C, adecuado para procesos a altas temperaturas (MOCVD, MBE).

Transparencia óptica: > 85% de transmisión (UV a infrarrojo medio: 250 nm ∼ 5.000 nm).

Robustez mecánica: 9 dureza de Mohs, resistente al grabado químico y a la abrasión.

Aplicaciones de la oblea de zafiro

Optoelectrónica

Diodos láser basados en GaN: LED azul/UV, micro-LED y VCSEL.

Ventanas láser de alta potencia: CO2 y componentes láser excimer.

Electrónica de energía y RF

Transistores de alta movilidad electrónica (HEMT): amplificadores de potencia 5G/6G y sistemas de radar.

Diodos de Schottky y MOSFET: Dispositivos de alto voltaje para vehículos eléctricos.

Industria y Defensa

Ventanas infrarrojas y cúpulas de misiles: Alta transparencia en entornos adversos.

Sensores de zafiro: Revestimientos resistentes a la corrosión para el control industrial.

Tecnologías cuánticas y de investigación

Substrato para qubits superconductores(computación cuántica).

Cristales SPDC (conversión espontánea paramétrica hacia abajo)para la óptica cuántica.

Semiconductores y MEMS

Oferta de silicona en aislante (SOI)para circuitos integrados avanzados.

Sensores de presión MEMSque requieren inertitud química.

Especificaciones

Pregunta y respuesta

El primer trimestre: ¿Puedo solicitar un ángulo de corte diferente (por ejemplo, 0,5° o 2°)?
A2: ¿Qué es esto? - Sí, es cierto.Los ángulos de corte fuera de medida (0,2°~5°) están disponibles con una tolerancia de ±0,1°.

P2: ¿Cuál es el grosor máximo disponible?
A6: ¿Cuál es el problema?Hasta1,500 μm (1,5 mm)para la estabilidad mecánica en aplicaciones de alta tensión.

P3: ¿Cómo se deben almacenar las obleas para evitar la contaminación?
A10: elAlmacenamientoCásetes compatibles con las salas limpiaso los gabinetes de nitrógeno (20°C a 25°C, humedad < 40%).