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Portador de botes de cerámica SiC personalizado para el manejo de obleas
El portabotes cerámico de carburo de silicio (SiC) personalizado es
una solución de manejo de obleas de alto rendimiento diseñada para
procesos de fabricación de semiconductores, fotovoltaicos y
LED.Diseñados para la estabilidad a altas temperaturas, resistencia
química y contaminación ultrabaja, este portador garantiza un
transporte seguro y eficiente de obleas en entornos exigentes como
CVD, hornos de difusión y cámaras de oxidación.
Ventajas clave del barco de cerámica SiC
Alta estabilidad térmica: Resiste temperaturas de hasta 1.600°C sin
deformación.
Inertitud química ️ Resiste la erosión de ácidos, álcalis y plasma,
lo que garantiza una durabilidad a largo plazo.
Generación de partículas bajas: Minimiza la contaminación en EUV y
la fabricación avanzada de nodos.
Diseño personalizable ️ Adaptado para el tamaño de la oblea, el
paso de la ranura y los requisitos de manejo
Ideal para fábricas de semiconductores, producción de MEMS y
procesamiento de semiconductores compuestos
Especificación
Contenido en carburo de silicio | - | % | > 99 años5 |
Tamaño medio del grano | - | micrones | 4 a 10 |
Densidad de volumen | - | En kg/dm^3 | > 3.14 |
Porosidad aparente | - | Porcentaje de volumen | El valor de las emisiones5 |
Dureza de Vickers | ¿Qué es esto?5 | En kg/mm^2 | 2800 |
Modulo de ruptura (3 puntos) | 20 °C | MPa | 450 |
Resistencia a la compresión | 20 °C | MPa | 3900 |
Módulo de elasticidad | 20 °C | GPa | 420 |
Durabilidad de la fractura | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Conductividad térmica | 20 °C | ¿Qué quieres decir? | 160 |
Resistencia eléctrica | 20 °C | Ohm.cm | 10^6-10^8 |
Coeficiente de expansión térmica | a) el (RT"800°C) | K^-1*10^-6 | 4.3 |
Temperatura máxima de aplicación | Atmosfera de los óxidos | °C | 1600 |
Temperatura máxima de aplicación | La atmósfera inerte | °C | 1950 |
Aplicaciones del barco cerámico de SiC
1Fabricación de semiconductores
✔ Fuegos de difusión y recocido
- Estabilidad a altas temperaturas Resiste 1.600°C (oxidante) /
1.950°C (inerte) sin deformación.
- Baja expansión térmica (4.3×10−6/K)
✔ Enfermedades cardiovasculares y epitaxia (crecimiento de SiC/GaN)
- Resistencia a la corrosión del gas Inerte al SiH4, NH3, HCl y
otros precursores agresivos.
- Superficie libre de partículas Polished (Ra < 0,2 μm) para una
deposición epitaxial libre de defectos.
✔ Implantación de iones
- Resistente a la radiación No hay degradación bajo bombardeo de
iones de alta energía.
2Electrónica de potencia (dispositivos de SiC/GaN)
✔ Procesamiento de obleas de SiC
- Compatibilidad con CTE (4.3×10−6/K) Minimiza el estrés en el
crecimiento epitaxial de 1.500 °C+.
- Alta conductividad térmica (160 W/m·K)
✔ Dispositivos con GaN sobre SiC
- No contaminante No hay liberación de iones metálicos en
comparación con los barcos de grafito.
3Producción de energía fotovoltaica
✔ Células solares PERC y TOPCon
- Resistencia a la difusión de POCl3 Resiste a los entornos de
doping de fósforo.
- Larga vida útil de 5-10 años frente a 1-2 años para los barcos de
cuarzo.
✔ Sistema solar de película delgada (CIGS/CdTe)
- Resistencia a la corrosión: estable en procesos de deposición de
H2Se y CdS.
4. LED y Optoelectrónica
✔ Epitaxia con mini/micro LED
- Diseño de ranura de precisión. Sostiene frágil 2" 6" obleas sin
astillas de borde.
- Compatible con la sala limpia Cumple con las normas de partículas
SEMI F57.
5Investigación y aplicaciones especializadas
✔ Síntesis de material de alta velocidad
- Auxilios para la sinterización (por ejemplo, B4C, AlN)
- Crecimiento de cristales (por ejemplo, Al2O3, ZnSe)
Preguntas frecuentes
Pregunta 1:¿Qué tamaños de obleas se admiten?
Estándar: 150 mm (6"), 200 mm (8"), 300 mm (12").
P2: ¿Cuál es el tiempo de entrega para diseños personalizados?
- Modelos estándar: 4 a 6 semanas.
- Completamente personalizado: 8 a 12 semanas (dependiendo de la
complejidad).