Placa portadora recubierta de SiC de alta pureza para el manejo y transferencia de obleas
Número de modelo:Placa portadora de SiC
Lugar de origen:China.
Condiciones de pago:T/T
Tiempo de entrega:2-4weeks
Densidad:3.21 g/cc
Calor específico:0.66 J/g °K
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Resumen de la placa portadora de SiC
Placa portadora recubierta de SiC de alta pureza para el manejo y transferencia de obleas
La placa portadora de SiC (placa portadora de carburo de silicio) es un componente cerámico de alto rendimiento ampliamente utilizado en sectores de fabricación avanzados como semiconductores, LED y electrónica de potencia.Reconocido por su excepcional resistencia térmica, alta conductividad térmica, baja expansión térmica y resistencia mecánica superior, es la solución ideal para procesos de alta temperatura.incluido el diseño, fabricación, pruebas y soporte postventa, lo que garantiza un rendimiento y una fiabilidad óptimos para el manejo de obleas, el crecimiento epitaxial y otras aplicaciones críticas.
Especificación técnica:
| Propiedad | Valor | Método |
| Densidad | 3.21 g/cc | Flotación del fregadero y su dimensión |
| Calor específico | 0.66 J/g °K | Flash láser pulsado |
| Fuerza de flexión | 450 MPa560 MPa | 4 puntos de curva, RT4 puntos de curva, 1300° |
| Resistencia a las fracturas | 2.94 MPa m1/2 | Microindicaciones |
| Dureza | 2800 | Vicker's, 500 gramos de carga |
| Modulo elástico Modulo del joven | 450 GPa430 GPa | 4 pt de curvatura, RT4 pt de curvatura, 1300 °C |
| Tamaño del grano | 2 ¢ 10 μm | El SEM |
Principales características dePlaca portadora de SiC
1.Resistencia a temperaturas muy altasFuncionamiento estable hasta 1650°C, ideal para CVD, MOCVD y otros procesos a alta temperatura.
2.Gestión térmica superiorLa conductividad térmica de 120-200 W/m·K garantiza una rápida disipación del calor y minimiza la tensión térmica.
3.Baja expansión térmica(4.3×10−6/K)
4.Alta dureza y resistencia al desgasteDureza de Mohs de 9.2, muy superior al cuarzo y al grafito, prolonga la vida útil.
5.Inertitud químicaResistente a la erosión de ácidos, álcalis y plasma, adecuado para ambientes hostiles.
6.Alta pureza y libre de contaminaciónLos niveles de impurezas metálicas < 1 ppm, que cumplen con los estándares de limpieza de los semiconductores.
Las aplicaciones principales dePlaca portadora de SiC
- ¿ Qué?
· Fabricación de semiconductores️ Epitaxia de obleas (GaN/SiC), portador de la cámara de reacción CVD.
· Producción de LEDApoya los sustratos de zafiro para un crecimiento uniforme de MOCVD.
· Energía electrónica transportador de sinterización a alta temperatura para dispositivos de potencia SiC/GaN.
· Envases avanzados Substrato de colocación y procesamiento láser de precisión.
Compatibilidad de procesos, materiales y aplicaciones
| Categoría | Punto de trabajo | Descripción |
| Compatibilidad de los procesos | Epitaxia a alta temperatura | Compatible con el crecimiento epitaxial de GaN/SiC (> 1200°C) |
| Entornos de plasma | Resiste el bombardeo de plasma de RF/microondas para sistemas de grabado | |
| Ciclos térmicos rápidos | Excelente resistencia al choque térmico para calentamiento/enfriamiento repetidos | |
| Tipos de materiales | SiC enlazado por reacción (RBSiC) | Eficacia en términos de costes para aplicaciones industriales |
| Deposición química de vapor SiC (CVD-SiC) | De puridad ultra alta (> 99,9995%) para procesos de semiconductores | |
| SiC prensado en caliente (HPSiC) | Alta densidad (> 3,15 g/cm3) para cargas pesadas de obleas | |
| Funciones básicas | Manejo y fijación de obleas | Asegura las obleas sin deslizamiento a altas temperaturas |
| Uniformidad térmica | Optimiza la distribución de la temperatura para el crecimiento epitaxial | |
| Alternativas al grafito | Elimina los riesgos de oxidación y contaminación por partículas |
Imágenes de productosPlaca portadora de SiC
ZMSH ofrece soluciones integrales de extremo a extremo para placas portadoras de carburo de silicio (placas portadoras de SiC), ofreciendo servicios de diseño personalizados con dimensiones a medida, patrones de apertura,y tratamientos de superficie, incluido el pulido de espejos y revestimientos especializados, fabricación de precisión utilizando procesos CVD/RBSiC que mantienen una estricta consistencia del lote dentro de tolerancias de ± 0,05 mm, protocolos de inspección de calidad rigurosos,Entrega acelerada de prototipos con 72 horas de respuesta, y soporte técnico global con capacidad de respuesta las 24 horas del día, los 7 días de la semana, garantizando que los clientes reciban productos de alto rendimiento con una uniformidad y fiabilidad excepcionales para sus aplicaciones críticas.
Pregunta y respuesta.
1P: ¿Cuál es la temperatura máxima para las placas portadoras de
SiC?
R: Las placas portadoras de SiC soportan un funcionamiento continuo
hasta 1650 °C, ideal para el crecimiento epitaxial de
semiconductores y el procesamiento a alta temperatura.
2P: ¿Por qué usar SiC en lugar de grafito para portadores de
obleas?
R: El SiC ofrece cero generación de partículas, 10 veces más vida
útil y mejor resistencia al plasma que los portadores de grafito.
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Handling and Transfer
Placa portadora recubierta de SiC de alta pureza para el manejo y transferencia de obleas
Carro de la investigación
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