Placa de soporte SiC resistente a altas temperaturas/placa de soporte para portadores de obleas
Número de modelo:La placa de apoyo/placa de soporte de SiC
Lugar de origen:China.
Condiciones de pago:T/T
Tiempo de entrega:2-4weeks
Tipo de material:CVD-SiC
Diámetro:100-500m m
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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SiC Placa de apoyo / Placa de soporte
Placa de soporte SiC resistente a altas temperaturas/placa de soporte para portadores de obleas
Las placas de soporte de carburo de silicio (SiC) son componentes cerámicos de alto rendimiento ampliamente utilizados en sectores de fabricación avanzados como semiconductores, LED y fotovoltaicos.Reconocidos por su excepcional resistencia térmicaZMSH ofrece soluciones personalizadas de placas de apoyo de SiC, incluyendo diseño, fabricación, pruebas y fabricación de placas de apoyo de SiC.,y apoyo postventa, garantizando una mayor estabilidad del proceso y eficiencia de producción.
Especificación técnica:
| Parámetro | Especificación | Unidad | Las notas |
| Tipo de material | Se aplicarán las siguientes medidas: | - | No se puede optar |
| Diámetro | 100-500 (se puede personalizar) | En el caso de los | Las costumbres |
| El grosor | 10 a 50 | En el caso de los | Adjustable |
| Temperatura máxima de funcionamiento | 1650 | °C | A largo plazo |
| Conductividad térmica | 120 a 200 | El valor de las emisiones de CO | A 25 °C |
| Coeficiente de expansión térmica | 4.0 × 10−6 | /°C | NT1cambio de temperatura |
| Densidad | 3.10 a tres.21 | G/cm3 | Teórico |
| Porosidad | < 0,5% | - | Es muy densa. |
| Roughness de la superficie (Ra) | < 0,2 (polido) | Mm | El acabado del espejo |
| La superficie es plana | ≤ 005 | En el caso de los vehículos de motor | Grado de precisión |
| Dureza (Mohs) | 9.2 | - | Solo el diamante lo ocupa |
| Resistencia a la flexión | Entre 350 y 450 | MPa | 3 puntos |
| Purificación | > 99,9995% | - | de tipo semiconductor |
Placa de apoyo SiC / Placa de soporte Características clave
- ¿ Qué?
1.Resistencia a altas temperaturasFuncionamiento estable por encima de 1600°C, adecuado para condiciones extremas de proceso.
2.Conductividad térmica superior¢ superan a los materiales tradicionales (por ejemplo, grafito, alumina) en la rápida disipación de calor y reducción del estrés térmico.
3.Baja expansión térmica• Excelente estabilidad dimensional a altas temperaturas, minimizando la deformación.
4.Alta dureza y resistencia al desgasteDureza de Mohs de 9.2, garantizando una durabilidad a largo plazo.
5.Inertitud químicaResistente a ácidos, álcalis y entornos corrosivos (por ejemplo, grabado, CVD / PVD).
6.Alta pureza¢ Composición libre de metales, que cumple con las estrictas normas de la industria de semiconductores.
Las aplicaciones principales dePlaca de apoyo / placa de soporte de SiC
- ¿ Qué?1Compatibilidad del proceso
· Fabricación de semiconductoresCompatible con CVD, MOCVD y crecimiento epitaxial, asegurando un calentamiento uniforme de la obletera.
· Producción de LEDApoya sustratos de zafiro para un crecimiento consistente de la capa epitaxial.
· Energía fotovoltaicaSe utiliza en sinterización a alta temperatura y deposición de películas finas.
· Mecanizado de precisión¢ Adecuado para el corte por láser, el grabado por plasma y otros procesos de alta precisión.
2. Tipos de materiales
· SiC enlazado por reacción (RBSiC)¢ Eficaz en cuanto a costes, ideal para el uso general a altas temperaturas.
· Deposición química de vapor SiC (CVD-SiC)- Ultra alta pureza para procesos avanzados de semiconductores.
· SiC prensado en caliente (HPSiC)- Alta densidad y resistencia para aplicaciones de carga pesada.
3. Aplicaciones básicas
· Soporte de obleas/substratoAsegura una distribución térmica uniforme durante el procesamiento.
· Reemplazo del grafito¢ Elimina los riesgos de oxidación y contaminación por partículas.
· Equipo de grabadoProporciona un apoyo estable en el entorno plasmático.
Servicios de ZMSH Soluciones integrales de placas de soporte / placas de apoyo de SiC
1. Diseño personalizado dimensiones optimizadas, geometría y
tratamientos de superficie (por ejemplo, pulido, recubrimientos).
2. Fabricación de precisión
3. Pruebas rigurosas inspección ultrasónica, ciclo térmico y protocolos de garantía de calidad.
4- Respuesta rápida: consultoría técnica, prototipos y apoyo a la producción por lotes.
5Apoyo global cobertura mundial (Asia-Pacífico, Europa, América) con servicio postventa las 24 horas del día, los 7 días de la semana.
Pregunta y respuesta.
1P: ¿Cuál es la temperatura máxima para las placas de soporte de
SiC?
R: Las placas de soporte de SiC soportan hasta 1650 °C
continuamente, lo que las hace ideales para procesos de CVD/MOCVD
semiconductores.
2P: ¿Por qué usar SiC en lugar de grafito para soporte de obleas?
R: SiC ofrece cero contaminación de partículas, mayor rigidez y una
vida útil más larga que el grafito en el procesamiento de obleas de
alta pureza.
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Placa de soporte SiC resistente a altas temperaturas/placa de soporte para portadores de obleas
Carro de la investigación
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