Placa portadora de Wafer Multi-SiC Carburo de silicio sinterizado sin presión para soporte de Wafer

Placa portadora de Wafer Multi-SiC Carburo de silicio sinterizado sin presión para soporte de Wafer

Competitividad central de la ZMSH:

Como proveedor líder a nivel mundial de soluciones de materiales semiconductores de carburo de silicio (SiC),ZMSH ha desarrollado susceptores multi-wafer de SiC patentados aprovechando la tecnología de crecimiento de cristal único de SiC de ultra alta pureza y la ingeniería de recubrimiento avanzada.Estos susceptores abordan los desafíos críticos en la fabricación de semiconductores compuestos, incluida la grietación por estrés térmico y la contaminación a través de:

· Estabilidad térmica ultra alta (funcionando por encima de 1600°C)
· Control de la conductividad térmica a nanoescala (conductividad térmica lateral > 350 W/m·K)
· Superficies químicamente inertes (resistencia a la corrosión ácido/base según ASTM G31 III)

Validado por pruebas de confiabilidad de 1.200 horas en TSMC y Mitsubishi Electric, el producto alcanza un rendimiento del 99,95% para la producción en masa de obleas de 6 pulgadas y la calificación del proceso de 8 pulgadas.

Especificación técnica:

Principales características deEnvases de SiC

1Innovaciones materiales

- ¿ Por qué?SiC de alta pureza de cristal único:Cultivado mediante transporte físico de vapor (PVT) con dopado de boro (B) < 5×1015 cm−3, contenido de oxígeno (O) < 100 ppm y densidad de dislocación < 103 cm−2,garantizar el coeficiente de expansión térmica (CTE) correspondiente a las obleas de SiC (Δα=0).8×10−6/K).

- ¿ Qué?Revestimientos nanoestructurados:La deposición de vapor químico mejorada por plasma (PECVD) de revestimientos de TiAlN de 200 nm (dureza 30GPa, coeficiente de fricción < 0,15) minimiza el rasguño de la obletera.

2. Gestión térmica

- ¿ Por qué?Conductividad térmica del gradiente:Los compuestos de SiC/SiC de múltiples capas logran una uniformidad de temperatura de ± 0,5 °C en portadores de 8 pulgadas.

- ¿ Por qué?Resistencia al choque térmico:Sobrevive a 1.000 ciclos térmicos (ΔT = 1500 ° C) sin agrietarse, superando a los portadores de grafito en 5 veces la vida útil.

- ¿ Qué?3Compatibilidad de los procesos.

- ¿ Por qué?Soporte para múltiples procesos:Compatible con MOCVD, CVD y Epitaxy a 600 ∼ 1600 °C y 1 ∼ 1000 mbar.

- ¿ Por qué?Flexibilidad del tamaño de la oblea:Soporta obleas de 2 ′′12 pulgadas para heterostructuras GaN-on-SiC y SiC-on-SiC.

Las aplicaciones principales deEnvases de SiC

- ¿ Qué?

1- Fabricación de semiconductores compuestos

· Dispositivos de energía GaN:Permite el crecimiento epitaxial de 2.5kV MOSFET en obleas GaN-on-SiC de 4 pulgadas a 1200 °C, logrando una densidad de defecto <5 × 104 cm−2.

· Dispositivos de RF SiC:Apoya la heteroepitaxia 4H-SiC-en-SiC para HEMT con transconductividad de 220 mS/mm y frecuencia de corte de 1.2 THz.

2. fotovoltaicos y LED

Las capas de pasivación de HJT:Logra <1 × 106 cm−2 defectos de interfaz en MOCVD, aumentando la eficiencia de las células solares al 26%.

· Transferencia de micro-LEDPermite una eficiencia de transferencia del 99,5% para LEDs de 5 μm utilizando alineación electrostática a 150 °C.

- ¿ Qué?3- Aeroespacial y nuclear.

· Detectores de radiación:Produce obleas CdZnTe con resolución de energía FWHM de <3keV para misiones del espacio profundo de la NASA.

· Sellos de barra de control:Los portadores revestidos con SiC soportan una irradiación de neutrones de 1×1019 n/cm2 durante 40 años de vida útil del reactor.

Imágenes de productosEnvases de SiC

ZMSH ofrece soluciones técnicas de extremo a extremo, que abarcan I + D de materiales, optimización de procesos y soporte de producción en masa.Las tecnologías de tratamiento de superficies a nanoescala (Ra < 5 nm), proporcionamos soluciones de portadores a nivel de obleas para los sectores de semiconductores, optoelectrónica y energía renovable, asegurando un rendimiento y una fiabilidad de rendimiento del 99,95%.