Fuego de oxidación LPCVD de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas para deposición uniforme de película delgada de poli silicio y óxido de silicio
Número de modelo:Horno de oxidación LPCVD
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:2
Condiciones de pago:T/T
Tiempo de entrega:Entre 5 y 10 meses
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
Proveedor Último login veces:
Dentro de 13 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Resumen del horno de oxidación LPCVD
Fuego de oxidación LPCVD de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas para deposición uniforme de película delgada de poli silicio y óxido de silicio
Los sistemas LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) sirven como equipos críticos de deposición de película delgada en la fabricación de semiconductores, empleados principalmente para el cultivo de poli silicio, nitruro de silicio,y películas de óxido de silicioLas principales ventajas de la tecnología incluyen: 1) Ambiente de baja presión (0,1-10 Torr) que garantiza una uniformidad de película excepcional dentro de ± 1,5%;2) Diseño del reactor vertical que permita un procesamiento de alto rendimiento de 150-200 obleas por lote3) Deposición activada térmicamente a 300-800 °C sin daños inducidos por plasma, por lo que es particularmente adecuada para procesos de precisión como la formación dieléctrica de puertas.Esta tecnología ha sido ampliamente adoptada en la fabricación de nodos avanzados (5nm y más allá) tanto para chips lógicos como para dispositivos de memoria.
The LPCVD process operates under reduced pressure conditions where the extended mean free path of gas molecules (significantly greater than at atmospheric pressure) contributes to superior film uniformityLa disposición vertical de las obleas no sólo maximiza la capacidad de los lotes, sino que también mejora la eficiencia de producción, lo que hace que el sistema sea ideal para la fabricación de semiconductores a escala industrial.
Horno de oxidación LPCVDEspecificaciones
T.ecnología | Punto de ensayo LP-SiN | Control de las emisiones | |
Deposición de nitruro | Artículo (EE) | Partícula de transferencia | < 15EA (> 0,32 μm) |
| Partícula de proceso | Se utilizará una solución de aluminio para la fabricación de un material de aluminio. < 80EA (> 0,226 μm) | ||
espesor ((A) | El importe de la ayuda | 1500 ± 50 | |
Uniformidad | dentro de una oblea < 2,5% De una oblea a otra < 2,5% Se ejecuta de forma continua < 2% | ||
Tamaño de la oblea
| Wafer de 6/8/12 pulgadas | ||
Rango de temperatura del proceso
| 500 °C a 900 °C | ||
Duración de la zona de temperatura constante
| ≥ 800 mm | ||
Precisión del control de la temperatura
| ± 1°C | ||
Características del producto de los equipos LPCVD:
*Funcionamiento automatizado con manipulación de obleas de alta precisión
*Cámara de proceso ultralimpia con una contaminación mínima de partículas
*Uniformidad superior del grosor de la película
*Control inteligente de la temperatura con ajuste en tiempo real
*Soporte de obleas de SiC para reducir la fricción y la generación de partículas
*Regulación automática de la presión para un rendimiento constante del proceso
*Configuraciones personalizables para diversos requisitos de proceso
Principio de deposición del LPCVD:
1Introducción de gas: los gases reactivos se introducen en el tubo, manteniendo un ambiente de baja presión dentro del tubo necesario para la reacción, que generalmente oscila entre 0,25 y 1 Torr.
2Transporte superficial de reactivos: bajo condiciones de baja presión, los reactivos pueden moverse libremente en la superficie de la oblea.
3. Adsorción de reactivos en la superficie del sustrato: los reactivos se adhieren a la superficie del sustrato.
4Reacción química en la superficie de la oblea: Los reactivos experimentan descomposición térmica o reacción en la superficie de la oblea, formando productos.
5. Eliminación de gases no producidos: Los gases distintos de los productos de reacción se eliminan de la superficie para mantener el ambiente a baja presión y evitar interferencias con el proceso de deposición.
6. Acumulación de productos de reacción para formar película: Los productos de reacción se acumulan en la superficie para formar una película sólida.
Aplicación del proceso de oxidación
Los procesos de oxidación del silicio son fundamentales en todo el proceso de fabricación de semiconductores.
1. Capa de oxido de protección: actúa como una barrera para evitar la contaminación de la oblea de silicio al bloquear la fotoresistencia,y también puede dispersar los iones antes de que entren en el silicio de cristal único para reducir los efectos de canalización..
2. Capa de óxido de silicio: Esta capa se utiliza para reducir la
tensión entre el silicio y el nitruro de silicio.la fuerza de
tracción de hasta 10^10 dyn/cm2 de las capas de nitruro de silicio
LPCVD podría causar grietas o incluso roturas en las obleas de
silicio .
3. Capa de óxido de puerta: sirve como la capa dieléctrica en las
estructuras MOS, permite las vías de conducción de corriente y
realiza el control del efecto de campo.
Clasificación de los sistemas LPCVD: configuraciones verticales frente a las horizontales
Los equipos LPCVD se clasifican en tipos verticales y horizontales, la nomenclatura se deriva de la orientación de la cámara del horno o, equivalentemente, de la dirección de colocación del sustrato.Estas dos configuraciones predominantes del sistema de deposición de vapor químico a baja presión (LPCVD) se diferencian principalmente por su disposición del sustrato y la dinámica del flujo de gas..
Sistemas LPCVD verticales
En el LPCVD vertical, los gases de proceso se introducen
típicamente desde la parte superior de la cámara de reacción y
fluyen hacia abajo a través de los sustratos antes de ser agotados
desde la parte inferior.Este diseño ayuda a garantizar un flujo
uniforme de gas a través de cada sustrato, logrando así una
deposición de película delgada constante.
Sistemas LPCVD horizontales:
Los sistemas LPCVD horizontales están diseñados para permitir que
los precursores fluyan de un extremo del sustrato al otro, lo que
crea un flujo continuo de gas desde la entrada hasta la salida.que
pueden contribuir a la formación de una película uniformeSin
embargo, también puede dar lugar a una deposición más gruesa cerca
del lado de entrada de gas en comparación con el extremo opuesto.
Efecto de mecanizadoHorno de oxidación LPCVD
Pregunta y respuesta.
1P: ¿Para qué se utiliza el LPCVD?
R: LPCVD (deposición química a baja presión por vapor) se utiliza
principalmente en la fabricación de semiconductores para depositar
películas finas uniformes como el poli silicio, nitruro de
silicio,y óxido de silicio a baja presión para la fabricación de
chips avanzados.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre LPCVD y PECVD?
R: El LPCVD utiliza la activación térmica a baja presión para
películas de alta pureza, mientras que el PECVD emplea plasma para
una deposición más rápida a baja temperatura pero con una calidad
de película más baja.
Etiqueta: #Fuego de oxidación LPCVD, #Deposición uniforme de
película delgada, #6 pulgadas / 8 pulgadas / 12 pulgadas,
#Polisílico, # Óxido de silicio
Fuego de oxidación LPCVD de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas para deposición uniforme de película delgada de poli silicio y óxido de silicio
Carro de la investigación
0