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La tecnología láser microjet es una tecnología avanzada y ampliamente utilizada de procesamiento de compuestos que combina un chorro de agua "tan delgado como un cabello" con un haz láser,y guía el láser con precisión a la superficie de la pieza mecanizada a través de la reflexión interna total de una manera similar a las fibras ópticas tradicionalesEl chorro de agua enfría continuamente el área de corte y elimina eficazmente el polvo producido por el procesamiento.
Como tecnología de procesamiento láser fría, limpia y controlada, la tecnología láser microjet resuelve eficazmente los principales problemas asociados con los láseres secos, como daños térmicos, contaminación,deformación, la deposición de detritos, la oxidación, las micro grietas y el cónico.
1Tipo de láser
Laser Nd:YAG de estado sólido bombeado con diodo. El tiempo de
ancho de pulso es us/ns y la longitud de onda es 1064 nm, 532 nm o
355 nm. Rango promedio de potencia del láser 10-200 W.
2Sistema de chorro de agua
El consumo de agua del chorro de agua ultrafina es de sólo 1
litro/hora a una presión de 300 bares.
3- Es el agua.
El tamaño de la boquilla oscila entre 30 y 150 mm, el material de
la boquilla es zafiro o diamante.
4. Sistema auxiliar
Bombas de alta presión y sistemas de tratamiento de agua.
Volumen del mostrador | 300*300*150 | 400*400*200 |
Eje lineal XY | El motor lineal. | El motor lineal. |
Eje lineal Z | 150 | 200 |
Precisión de posicionamiento μm | +/-5 | +/-5 |
Precisión de posicionamiento repetida μm | +/-2 | +/-2 |
Aceleración G | 1 | 0.29 |
Control numérico | 3 ejes /3 + 1 ejes /3 + 2 ejes | 3 ejes /3 + 1 ejes /3 + 2 ejes |
Tipo de mando numérico | DPSS Nd:YAG | DPSS Nd:YAG |
longitud de onda nm | Las demás: | Las demás: |
Potencia nominal en W | 50/100/200 | 50/100/200 |
Jato de agua | 40 a 100 | 40 a 100 |
Barra de presión de la boquilla | 50 a 100 | 50 a 600 |
Dimensiones (máquina herramienta) (ancho * longitud * altura) mm | 1445*1944*2260 | 1700*1500*2120 |
Tamaño (gabinete de control) (W * L * H) | 700*2500*1600 | 700*2500*1600 |
Peso (equipamiento) T | 2.5 | 3 |
Peso (gabinete de control) en kg | 800 | 800 |
Capacidad de procesamiento | La rugosidad de la superficie Ra≤1,6um Velocidad de apertura ≥ 1,25 mm/s Cortar la circunferencia ≥ 6 mm/s Velocidad de corte lineal ≥ 50 mm/s | La rugosidad de la superficie Ra≤1,2 mm Velocidad de apertura ≥ 1,25 mm/s Cortar la circunferencia ≥ 6 mm/s Velocidad de corte lineal ≥ 50 mm/s |
Para el cristal de nitruro de galio, materiales semiconductores de banda ultra ancha (diamante/óxido de galio), materiales especiales para la industria aeroespacial, sustrato cerámico de carbono LTCC, fotovoltaicos,Procesamiento de cristales de scintillador y otros materiales. Nota: La capacidad de procesamiento varía según las características del material
|
1. Cortado de obleas
Materiales: Silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de
galio (GaN) y otros materiales duros y quebradizos para el corte de
obleas.
Aplicación: reemplaza la hoja de diamante tradicional, reduce la
rotura de los bordes (rotura de los bordes < 5 μm, corte de la
hoja generalmente > 20 μm).
Velocidad de corte aumentada en un 30% (por ejemplo, velocidad de
corte de obleas de SiC hasta 100 mm/s).
Dicing sigiloso: modificación láser dentro de la oblea, separación
asistida por chorro de líquido, adecuado para oblas ultra delgadas
(< 50 μm).
2Perforación de astillas y procesamiento de microagujeros
Aplicación: a través de perforación de silicio (TSV) para IC 3D.
Mecanizado de matrices de microagujeros térmicos para dispositivos
de potencia como IGBT.
Parámetros técnicos:
Rango de apertura: 10 μm~200 μm, relación profundidad/ancho de
hasta 10:1.
La rugosidad de la pared de los poros (Ra) < 0,5 μm es mejor que
la de la ablación directa con láser (Ra> 2 μm).
3Embalaje avanzado
Aplicación: RDL (Rewiring layer) Apertura de ventanas: láser +
chorro elimina la capa de pasivación, exhibiendo el panel.
Envases a nivel de obleas (WLP): plásticos de moldeo epoxi (EMC)
para envases de ventilación.
Ventajas: evita la deformación de las astillas causada por el
esfuerzo mecánico y aumenta el rendimiento a más del 99,5%.
4Procesamiento de semiconductores compuestos
Material: GaN, SiC y otros semiconductores de banda ancha.
Aplicación: grabado en muescas de puertas de dispositivos HEMT: el
chorro de líquido controla la energía láser para evitar la
descomposición térmica de GaN.
Anulación láser: micro-jet de calentamiento local para activar la
zona de implantación de iones (como la fuente de MOSFET SiC).
5. reparación de defectos y ajuste fino
Aplicación: Fusión láser de circuitos redundantes en memoria
(DRAM/NAND).
Ajuste de matrices de microlentes para sensores ópticos como el
ToF.
Precisión: precisión de control de energía ±1%, error de posición
de reparación < 0,1 μm.
1P: ¿Para qué se utiliza la tecnología láser microjet?
R: La tecnología láser microjet se utiliza para el corte,
perforación y estructuración de semiconductores (por ejemplo,
obleas de SiC, perforación TSV) y envases avanzados de alta
precisión y bajo daño térmico.
2P: ¿Cómo mejora el láser microjet la fabricación de
semiconductores?
R: Permite una precisión submicrónica con daños térmicos cercanos a
cero, sustituyendo las cuchillas mecánicas y reduciendo los
defectos en materiales frágiles como GaN y SiC.
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