2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
Número de modelo:SiC 3C-N
Lugar de origen:China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:1000pc/month
Polytype:3C-N
Dureza de Mohs:≈9.2
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Descripción del producto:
2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0
mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: <
111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
El sustrato de carburo de silicio (SiC) tipo 3C-N es un material semiconductor con una estructura cristalina cúbica, donde "3C" significa su sistema cristalino cúbico,mientras que "tipo N" se refiere a un semiconductor tipo N formado por la incorporación de átomos de nitrógeno (N)Este material de sustrato desempeña un papel importante en la industria de semiconductores, especialmente en aplicaciones donde se requieren estrictamente altas temperaturas, alta presión y alto rendimiento de frecuencia.
El sustrato de carburo de silicio (SiC) es el material principal del semiconductor de banda ancha recientemente desarrollado, que se utiliza principalmente en electrónica de microondas, electrónica de potencia y otros campos.Es el extremo delantero de la cadena industrial de semiconductores de banda ancha y es el material básico y claveLos sustratos de carburo de silicio tienen una variedad de estructuras cristalinas, las más comunes de las cuales son el α-SiC hexagonal (como 4H-SiC, 6H-SiC) y el β-SiC cúbico (es decir, 3C-SiC).
Características:
1Alta movilidad de electrones:El 3C-SiC tiene una movilidad electrónica relativamente alta, lo
que le da una ventaja en el procesamiento de señales electrónicas
de alta velocidad.que es mucho mayor que los materiales
semiconductores tradicionales como el silicio.
2- El espacio de banda más pequeño:En comparación con otros tipos cristalinos de carburo de silicio
como el 4H-SiC y el 6H-SiC, el 3C-SiC tiene una brecha de banda más
pequeña (alrededor de 2,36 eV).Esta característica permite que el
dispositivo 3C-SiC tenga una corriente de túnel FN más pequeña y
una mayor fiabilidad en la preparación de la capa de óxido, lo que
ayuda a mejorar el rendimiento del producto del dispositivo.
3. Alta conductividad térmica:Los materiales de carburo de silicio generalmente tienen una alta
conductividad térmica, y el 3C-SiC no es una excepción.reducir la
acumulación de calor y la dependencia de los sistemas de
refrigeración, mejorando así significativamente la eficiencia y
fiabilidad del dispositivo.
4Campo eléctrico de alta ruptura:La resistencia del campo eléctrico de descomposición del 3C-SiC
también es relativamente alta, y puede soportar altos voltajes sin
descomposición.Esta característica hace que tenga un valor de
aplicación potencial en la electrónica de alta tensión.
Parámetro técnico:
6 de diámetro de pulgadas de carburo de silicio (SiC) Especificación
| ¿Qué quieres decir?Grado | 精选级 (sección de selección)Z. 级) Producción de MPD cero Grado (Z) Grado) | 工业级 (en inglés)P级) Producción estándar Grado (P) Grado) | 测试级 (sección de pruebas)D级) Grado de imitación (D Grado) | ||
| Diámetro | 145.5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| 厚度 espesor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea | - ¿ Qué?elel eje: 2.0°-4.0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, en el eje: | ||||
| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow / Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Las notas:
※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.
Aplicaciones:
1Electrónica de potencia:
· Los MOSFET de SiC:Los sustratos de carburo de silicio tipo 3C-N se pueden utilizar
para fabricar MOSFETs SiC (transistores de efecto de campo de óxido
metálico de nitruro de silicio), que funcionan bien en alta
tensión, alta corriente,aplicaciones de cambio rápidoEn comparación
con los MOSFET de silicio tradicionales, los MOSFET de SiC tienen
bajas pérdidas de encendido y apagado y pérdidas de conmutación, y
pueden operar de manera estable a temperaturas y voltajes más
altos.
Diodos de SiC:Los sustratos 3C-SiC también pueden utilizarse para fabricar diodos
SiC, que pueden mejorar en gran medida la velocidad de conmutación
y la eficiencia general de conversión del sistema en las fuentes de
alimentación HVDC.Inversores y otros sistemas.
2. Dispositivos de radio y comunicación:
· SiC HEMT:En los amplificadores de potencia de RF, se pueden utilizar
sustratos de carburo de silicio tipo 3C-N para fabricar SiC HEMT
(transistores de alta movilidad electrónica).SiC HEMT puede
funcionar de manera estable a frecuencias extremadamente altas y es
adecuado para escenarios de transmisión de datos de alta velocidad
como las comunicaciones 5G y las comunicaciones por satéliteAl
mismo tiempo, sus características de baja pérdida ayudan a reducir
el consumo de energía y mejorar el rendimiento de la red.
3- Electrónica automotriz:
· Vehículos eléctricos y conducción autónoma:Con el desarrollo de los vehículos eléctricos y la tecnología de
conducción autónoma, existe una creciente demanda de alta densidad
de potencia, excelentes capacidades de gestión térmica y
electrónica de larga vida útil.Debido a su alta estabilidad a
temperatura, alta conductividad térmica y resistencia a la
radiación, el sustrato SIC 3C-N tiene una amplia gama de
aplicaciones en sistemas de conversión de energía de vehículos
eléctricos, sistemas de gestión de baterías (BMS),Los demás
aparatos y aparatos para la fabricación de máquinas, y sensores
para sistemas de conducción autónoma.
4Dispositivos optoelectrónicos:
· LEDs UV y diodos láser:En los LED UV y los diodos láser, el sustrato 3C-SiC proporciona
una mejor eficiencia de salida de luz y conductividad térmica,
optimizando así el rendimiento óptico y la confiabilidad del
dispositivo.Esto hace que el 3C-SiC sea potencialmente útil en
áreas como la esterilización, purificación del aire, detección
médica y tecnología láser.
Muestra de muestra:
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Cuáles son las ventajas del sustrato SIC tipo 3C-N en el campo de la electrónica de potencia?
R: En el campo de la electrónica de potencia, el sustrato de carburo de silicio tipo 3C-N tiene baja resistividad y alta movilidad de electrones.que puede reducir significativamente las pérdidas de energía y mejorar la velocidad de conmutación y la eficiencia del dispositivo.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre el 3C-SiC y el carburo de silicio cristalino?
R: 3C-SiC es la única forma cristalina de carburo de silicio con una estructura de red cúbica, que tiene una mayor movilidad de electrones en comparación con los cristales comunes de 4H y 6H,pero la estabilidad del cristal es relativamente pobre y la densidad de defecto es mayor.
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
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