Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser
Número de modelo:SiC 6H-P
Lugar de origen:China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:1000pc/month
Polytype:6H-P
Dureza de Mohs:≈9.2
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Descripción del producto:
Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser
El sustrato de carburo de silicio tipo 6H-P es un material
semiconductor cultivado por un proceso especial.y cada célula
contiene una secuencia de apilamiento de seis átomos de silicio y
seis átomos de carbonoEl tipo P indica que el sustrato ha sido
dopado de modo que su conductividad está dominada por agujeros.Un
eje de 0 ° se refiere al hecho de que la orientación cristalina del
sustrato es de 0 ° en una dirección específica (como el eje C del
cristal), que generalmente está relacionado con el crecimiento y
procesamiento del cristal.
Características:
- Alta distancia de banda:El 6H-SiC tiene una banda de aproximadamente 3,2 eV, que es mucho mayor que los materiales semiconductores tradicionales como el silicio (Si) y el germanio (Ge),que permite su funcionamiento estable en ambientes de alta temperatura y alto voltaje.
- Alta conductividad térmica:El 6H-SiC tiene una conductividad térmica de aproximadamente 4,9 W/m·K (el valor exacto puede variar según el material y el proceso), que es mucho mayor que el silicio,por lo que es capaz de disipar el calor de manera más eficiente y es adecuado para aplicaciones de alta densidad de potencia.
- Alta dureza y resistencia mecánica:Los materiales de carburo de silicio tienen una resistencia mecánica y dureza muy altas, adecuados para condiciones adversas como altas temperaturas, alta presión y un entorno de fuerte corrosión.
- Baja resistividadEl sustrato de carburo de silicio tratado con dopado tipo P tiene una baja resistividad, que es adecuada para la construcción de dispositivos electrónicos como la unión PN.
- Buena estabilidad química:El carburo de silicio tiene una buena resistencia a la corrosión a una variedad de sustancias químicas y puede mantener la estabilidad en ambientes químicos hostiles.
Parámetro técnico:
4 Diámetro de pulgada SilicioSubstrato de carburo (SiC) Especificación
| ¿Qué quieres decir?Grado | 精选级 (sección de selección)Z.级) Producción de MPD cero Grado (Z) Grado) | 工业级 (en inglés)P级) Producción estándar Grado (P) Grado) | 测试级 (sección de pruebas)D级) Grado de imitación (D Grado) | ||
| Diámetro | 99.5 mm~100,0 mm | ||||
| 厚度 espesor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea | En el eje opuesto: 2.0°-4.0° hacia adelante [1120] ± 0,5° para 4H/6H- | ||||
| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow / Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Las notas:
※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.
Aplicaciones:
- Dispositivos de alimentación:El sustrato de carburo de silicio tipo 6H-P es el material ideal para la fabricación de dispositivos de energía, como transistores bipolares de puertas aisladas (IGBT), transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET),etc. Estos dispositivos tienen alta eficiencia, baja pérdida, resistencia a altas temperaturas y características de alta frecuencia, y se utilizan ampliamente en vehículos eléctricos, inversores,amplificadores de alta potencia y otros campos.
- Por ejemplo, en los vehículos eléctricos, los dispositivos de potencia de carburo de silicio pueden mejorar significativamente la eficiencia de conversión de potencia de los módulos de accionamiento y las estaciones de carga.Reducción del consumo y de los costes de energía.
- Dispositivos de RF:Aunque el sustrato de carburo de silicio tipo 6H-P se utiliza principalmente para dispositivos de energía, los materiales de carburo de silicio especialmente tratados también se pueden utilizar para fabricar dispositivos de RF, como amplificadores de microondas,Estos dispositivos se utilizan ampliamente en los campos de la comunicación, el radar y la comunicación por satélite.
- ¿ Qué?
- Otras aplicaciones:Además, los sustratos SIC tipo 6H-P también se pueden utilizar para fabricar electrónica de alto rendimiento en los campos de sensores, tecnología LED, láseres y redes inteligentes.Estos dispositivos pueden funcionar de manera estable en ambientes duros como altas temperaturas, alta presión y radiación fuerte, mejorando la fiabilidad y estabilidad del sistema.
Muestra de muestra:
Preguntas frecuentes:
1. P: En comparación con el tipo 4H, ¿cuáles son las diferencias de rendimiento entre el tipo 6H-P SIC substrato eje 0°?
R: El carburo de silicio de tipo 6H, en comparación con el tipo 4H, tiene una estructura cristalina diferente, lo que puede provocar diferencias en las propiedades eléctricas, térmicas y de resistencia mecánica.El eje de tipo 6H-P de 0° generalmente tiene propiedades eléctricas más estables y mayor conductividad térmica, adecuado para aplicaciones específicas de alta temperatura y alta frecuencia.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre 4H y 6H SiC?
R: La principal diferencia entre el carburo de silicio 4H y 6H es su estructura cristalina, 4H es un cristal mixto hexagonal tetragonal, y 6H es un cristal hexagonal puro.
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Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser
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