Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado
Número de modelo:Las fichas de carburo de silicio
Lugar de origen:China
Condiciones de pago:T/T
Tiempo de entrega:Entre 2 y 4 semanas
El material:Carburo de silicio
El tamaño:Personalizado
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
Proveedor Último login veces:
Dentro de 13 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Descripción del producto
Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado
Un chip de carburo de silicio es un dispositivo semiconductor hecho de material de carburo de silicio (SiC).Se aprovecha de las excelentes propiedades físicas y químicas del carburo de silicio para mostrar un excelente rendimiento a altas temperaturas, ambientes de alta presión y alta frecuencia.
Características
• Alta dureza y resistencia al desgaste: el carburo de silicio tiene una alta dureza y una excelente resistencia al desgaste, que puede resistir el desgaste de la superficie y prolongar la vida útil.
• Alta resistencia: capaz de soportar cargas elevadas y tensiones mecánicas elevadas, adecuado para su uso en ambientes de alta carga y de alta tensión.
• Alta estabilidad térmica: el carburo de silicio tiene una excelente estabilidad térmica, un pequeño coeficiente de expansión térmica, una alta conductividad térmica,puede soportar el estrés y el choque térmico a altas temperaturas, y la temperatura de trabajo máxima puede alcanzar más de 600°C.
• Banda ancha: La banda ancha del SiC le permite funcionar bien en entornos de alta temperatura y alto voltaje, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
• Alta movilidad de los electrones: La alta movilidad de los electrones permite que el dispositivo funcione a altas velocidades y frecuencias.
• Alta tasa de saturación de electrones: La tasa de saturación de electrones del carburo de silicio es el doble que la del silicio,que permite a los dispositivos de carburo de silicio alcanzar frecuencias de funcionamiento y densidades de potencia más altas.
• Alta intensidad del campo eléctrico de ruptura: capaz de soportar el funcionamiento de alto voltaje, reduciendo el tamaño y el peso.
• Estabilidad química: Extremadamente resistente a la mayoría de los ácidos, álcalis y agentes oxidantes, y conserva el rendimiento en ambientes químicos adversos.
Parámetros técnicos
Propiedad 4H-SiC, cristal único 6H-SiC, cristal único Parámetros de la red a=3,076 Å c=10,053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å Secuencia de apilamiento El ABCB El ABCACB Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2 Densidad 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3 Coeficiente de expansión térmica 4 a 5 × 10 a 6/K 4 a 5 × 10 a 6/K Indice de refracción @750nm no = 2.61
n = 2.66
no = 2.60
n = 2.65
Constante dieléctrica C ~ 9.66 C ~ 9.66 Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) a ~ 4,2 W/cm·K@298K
C ~ 3,7 W/cm·K@298K
Conductividad térmica (semi-aislante) a ~ 4,9 W/cm·K@298K
C ~ 3,9 W/cm·K@298K
a~4,6 W/cm·K@298K
C ~ 3,2 W/cm·K@298K
- ¿ Qué haces? 3.23 eV 3.02 eV Campo eléctrico de ruptura 3 a 5 × 106 V/cm 3 a 5 × 106 V/cm Velocidad de deriva de saturación 2.0 × 105 m/s 2.0 × 105 m/s Aplicaciones
• electrónica de potencia: se utiliza para diseñar fuentes de alimentación con alta eficiencia y alta densidad de potencia, adecuadas para vehículos eléctricos, inversores solares y otros campos,mejorar la eficiencia de la conversión de energía y reducir los costes del sistema.
• Comunicación inalámbrica: se utiliza para diseñar amplificadores de alta frecuencia y alta velocidad de RF, adecuados para comunicaciones 5G, satélites, radar y otros campos.
• Iluminación LED: Se utiliza para diseñar controladores LED de alta eficiencia y alta luminosidad, adecuados para iluminación interior y exterior y otros campos.
• Automotriz: se puede utilizar para hacer sistemas de accionamiento de vehículos eléctricos y sistemas de gestión de baterías más eficientes y fiables.
• Aeroespacial: los chips de carburo de silicio pueden soportar ambientes adversos como altas temperaturas y radiación para garantizar el funcionamiento estable del sistema.
Producto relacionado:
1. P: ¿Cómo se paga?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y comercio
Aseguramiento y demás.2P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones para sus componentes ópticos
basado en sus necesidades.3P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
A: (1) Para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles después de realizar el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 3 semanas después de realizar el pedido.
(2) Para los productos de forma especial, la entrega es de 4 semanas laborables después de realizar el pedido.
Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado
Carro de la investigación
0