Tipo Sic 3C-N Tamaño Tipo conductor de mecanizado para sistemas de radar Nulo grado de producción MPD
Número de modelo:3C-N SiC
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:10 por ciento
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:1000pc/month
Tiempo de entrega:en 30days
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Descripción del producto
Tipo Sic 3C-N Tamaño Tipo conductor de mecanizado para sistemas de radar Nulo grado de producción MPD
El 3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material semiconductor
de banda ancha con buenas propiedades eléctricas y térmicas,
especialmente adecuado para alta frecuencia,aplicaciones de alta
potencia y dispositivos electrónicosEl dopaje de tipo N se logra
generalmente mediante la introducción de elementos como nitrógeno
(N) y fósforo (P), lo que hace que el material sea electronegativo
y adecuado para una variedad de diseños de dispositivos
electrónicos.La distancia entre bandas es de aproximadamente 3El
dopaje de tipo N mantiene una alta movilidad de electrones, lo que
mejora el rendimiento del dispositivo.La excelente conductividad
térmica ayuda a mejorar la capacidad de disipación de calor de los
dispositivos eléctricosTiene una buena resistencia mecánica y es
adecuado para su uso en ambientes hostiles. Tiene una buena
resistencia a una amplia gama de productos químicos y es adecuado
para aplicaciones industriales.se utiliza en convertidores y
accionadores de potencia de alta eficiencia, adecuado para
vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.
Características
- Amplio intervalo de banda: intervalo de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicaciones de alta temperatura y alto voltaje.
- Alta movilidad de electrones: el dopaje de tipo N proporciona una buena movilidad de electrones y mejora el rendimiento general del dispositivo.
- Excelente conductividad térmica: tiene una excelente conductividad térmica y mejora eficazmente el rendimiento de disipación de calor, adecuado para aplicaciones de alta potencia.
- Buena resistencia mecánica: Tiene una alta dureza y resistencia a la compresión, y es adecuado para su uso en ambientes hostiles.
- Resistencia química: buena resistencia a una amplia gama de productos químicos, mejorando la estabilidad del material.
- Características eléctricas ajustables: mediante el ajuste de la concentración de dopaje, se pueden lograr diferentes propiedades eléctricas para satisfacer las necesidades de una variedad de aplicaciones.
Parámetro técnico
Propiedad | No...Tipo de producto3C-Seco, Cristal único |
| Parámetros de la red | a=4,349 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABC |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 |
| Densidad | 2.36 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 3.8×10-6/K |
| Indice de refracción @750nm | n=2.615 |
| Constante dieléctrico | C ~ 9.66 |
Conductividad térmica | 3 a 5 W/cm·K@298K |
| La banda-brecha | 2.36 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 2-5×106V/cm |
Velocidad de deriva de saturación | 2.7×107m/s |
※ Carburo de silicio el material las propiedades es sólo para referencia.
Aplicaciones
1Electrónica de potencia: para convertidores de potencia,
inversores y accionadores de alta eficiencia, ampliamente
utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable. 2Equipos de RF y microondas: amplificadores de RF, equipos de
microondas, especialmente adecuados para sistemas de comunicación y
radar. 3Optoelectrónica: puede usarse como un bloque de construcción para
LED y detectores de luz, especialmente en aplicaciones azules y
ultravioletas. 4Sensores: se aplican a una amplia gama de sensores en entornos de
alta temperatura y alta potencia, proporcionando un rendimiento
confiable. 5Carga inalámbrica y gestión de la batería: se utiliza en sistemas
de carga inalámbrica y dispositivos de gestión de la batería para
mejorar la eficiencia y el rendimiento. 6Equipo eléctrico industrial: se utiliza en sistemas de
automatización y control industriales para mejorar la eficiencia
energética y la estabilidad del sistema.
Personalización
Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 3C-N y está
certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el
precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico
personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y
aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es
de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas.
Preguntas frecuentes
1.P: ¿Cuáles son las características de los sustratos de carburo de silicio 3C-N?
R: El sustrato de carburo de silicio de tipo 3C-N tiene una alta movilidad de electrones, lo que hace que el dispositivo tenga una corriente de túnel FN más pequeña y una mayor fiabilidad en la preparación de óxido.y puede mejorar en gran medida el rendimiento del producto del dispositivoAl mismo tiempo, el 3C-SiC tiene un ancho de banda más pequeño, lo que también proporciona ventajas para su aplicación en la fabricación de dispositivos.
2P: ¿Cómo afecta el tamaño del sustrato de carburo de silicio a su aplicación?
R: El tamaño (diámetro y grosor) del sustrato de carburo de silicio es uno de sus indicadores clave.Y cuanto menor sea el costo del chip unitarioAl mismo tiempo, el sustrato de gran tamaño también es más propicio para la disipación de calor y la estabilidad del dispositivo.el sustrato de carburo de silicio se está desarrollando constantemente en la dirección de grandes tamaños.
3P: ¿Cuál es la relación entre el sustrato 3C-N SIC y la hoja epitaxial?
R: El sustrato de carburo de silicio de tipo 3C-N es la capa de soporte para el crecimiento de la hoja epitaxial.y su tipo de dopaje, la concentración y el grosor del dopante pueden controlarse con precisión de acuerdo con los requisitos de diseño del dispositivo.La calidad del sustrato afecta directamente a la calidad de crecimiento de la hoja epitaxial y al rendimiento del dispositivo..
Etiqueta: #Substrato de carburo de silicio, #SIC tipo 3C-N, #Materiales semiconductores.
Tipo Sic 3C-N Tamaño Tipo conductor de mecanizado para sistemas de radar Nulo grado de producción MPD
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