6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato
compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de
producción
Las obleas de sustrato compuesto de carburo de silicio
semi-aislante (SiC) son un nuevo tipo de materiales de sustrato
para electrónica de potencia y dispositivos de microondas de RF.Los
sustratos compuestos de SiC semi-aislantes se utilizan ampliamente
en la electrónica de potenciaEs particularmente adecuado para la
fabricación de circuitos integrados de microondas de alto
rendimiento y amplificadores de potencia.En comparación con los
sustratos de silicio tradicionales, los sustratos compuestos de SiC
semi-aislantes tienen un mayor aislamiento, conductividad térmica y
resistencia mecánica,El desarrollo de una nueva generación de,
dispositivos electrónicos de alta frecuencia.
Características:
· el Alta resistividad: las obleas de SiC semi-isolantes pueden
alcanzar una resistividad del orden de 10^8-10^10 Ω·cm.Esta
resistencia extremadamente alta permite aislar eficazmente los
dispositivos electrónicos de interferencias entre sí.
· elBaja pérdida dieléctrica: las obleas de SiC semi-aislantes tienen
un factor de pérdida dieléctrica extremadamente bajo, generalmente
inferior a 10^-4.Esto ayuda a reducir la pérdida de energía del
dispositivo cuando se opera a altas frecuencias.
· elExcelente conductividad térmica: Los materiales de SiC tienen una
alta conductividad térmica y pueden conducir eficazmente el calor
generado por el dispositivo.Ayuda a mejorar el rendimiento de
gestión térmica del dispositivo y mejorar la estabilidad de
funcionamiento.
· elAlta resistencia mecánica: las obleas de SiC semi-aislantes tienen
una alta dureza y resistencia a la flexión.Puede soportar grandes
tensiones mecánicas y es adecuado para la fabricación de
dispositivos electrónicos de alta fiabilidad.
· elBuena estabilidad química: Los materiales de SiC tienen una
excelente estabilidad química en ambientes químicamente corrosivos
a altas temperaturas.Es beneficioso para mejorar la vida útil del
dispositivo en ambientes adversos.
· elBuena compatibilidad con el Si: La constante de red y el
coeficiente de expansión térmica de las obleas de SiC
semi-aislantes son similares a los del silicio.Ayuda a simplificar
el proceso de fabricación del dispositivo y reducir los costes de
fabricación.
Parámetros técnicos:
Aplicaciones:
1.Dispositivos de RF y microondas: El SiC semi-aislante es ideal para
la fabricación de circuitos integrados de RF y microondas debido a
su baja pérdida dieléctrica y alto aislamiento.Puede aplicarse a
campos de microondas de alta frecuencia como estaciones base de
comunicaciones móviles, sistemas de radar y comunicaciones por
satélite.
2.Electrónica de potencia: el SiC semi-aislante tiene una excelente
conductividad térmica y características de alta temperatura, lo que
es beneficioso para la fabricación de dispositivos semiconductores
de potencia.Se puede utilizar para fabricar dispositivos
electrónicos de alta potencia, como amplificadores de potencia,
conmutación de fuentes de alimentación y conversión de energía.
3.Optoelectrónica: El SiC semi-aislante tiene resistencia a la
radiación y puede usarse para fabricar dispositivos fotodetectores
que operan en un entorno de radiación.defensa nacional y otros
campos con requisitos estrictos para la resistencia a la radiación.
Personalización:
Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo semi-aislante y
está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el
precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico
personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y
aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es
de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas. El
lugar de origen es China.
Nuestros servicios:
1Fabricación y venta directa.
2Citas rápidas y precisas.
3Responderemos en 24 horas laborales.
4. ODM: diseño personalizado es disponible.
5Velocidad y entrega preciosa.