Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación
Número de modelo:3C-N SiC
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:10 por ciento
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:1000pc/month
Tiempo de entrega:en 30days
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Descripción del producto:
Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación
3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material semiconductor de
banda ancha con buenas propiedades eléctricas y térmicas,
especialmente adecuado para alta frecuencia,aplicaciones de alta
potencia y dispositivos electrónicosEl dopaje de tipo N se logra
generalmente mediante la introducción de elementos tales como
nitrógeno (N) y fósforo (P), lo que hace que el material sea
electronegativo y adecuado para una variedad de diseños de
dispositivos electrónicos.La distancia entre bandas es de
aproximadamente 3El dopaje de tipo N mantiene una alta movilidad de
electrones, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.La
excelente conductividad térmica ayuda a mejorar la capacidad de
disipación de calor de los dispositivos eléctricosTiene una buena
resistencia mecánica y es adecuado para su uso en ambientes
hostiles. Tiene una buena resistencia a una amplia gama de
productos químicos y es adecuado para aplicaciones industriales.se
utiliza en convertidores y accionadores de potencia de alta
eficiencia, adecuado para vehículos eléctricos y sistemas de
energía renovable.
Características:
· Largo intervalo de banda: Intervalo de banda de aproximadamente
3,0 eV para aplicaciones de alta temperatura y alto voltaje.
· Alta movilidad de los electrones: el dopaje de tipo N proporciona
una buena movilidad de los electrones y mejora el rendimiento
general del dispositivo.
· Excelente conductividad térmica: tiene una excelente
conductividad térmica y mejora eficazmente el rendimiento de
disipación de calor, adecuado para aplicaciones de alta potencia.
· Buena resistencia mecánica: tiene una alta dureza y resistencia a
la compresión, y es adecuado para su uso en ambientes hostiles.
· Resistencia química: buena resistencia a una amplia gama de
productos químicos, mejorando la estabilidad del material.
· Características eléctricas ajustables: mediante el ajuste de la
concentración de dopaje, se pueden lograr diferentes propiedades
eléctricas para satisfacer las necesidades de una variedad de
aplicaciones.
Parámetros técnicos:
Aplicaciones:
1Electrónica de potencia: para convertidores de potencia,
inversores y accionadores de alta eficiencia, ampliamente
utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.
2Equipos de RF y microondas: amplificadores de RF, equipos de
microondas, especialmente adecuados para sistemas de comunicación y
radar.
3Optoelectrónica: puede usarse como un bloque de construcción para
LED y detectores de luz, especialmente en aplicaciones azules y
ultravioletas.
4Sensores: se aplican a una amplia gama de sensores en entornos de
alta temperatura y alta potencia, proporcionando un rendimiento
confiable.
5Carga inalámbrica y gestión de la batería: se utiliza en sistemas
de carga inalámbrica y dispositivos de gestión de la batería para
mejorar la eficiencia y el rendimiento.
6Equipo eléctrico industrial: se utiliza en sistemas de
automatización y control industriales para mejorar la eficiencia
energética y la estabilidad del sistema.
Personalización:
Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 3C-N y está
certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el
precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico
personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y
aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es
de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 2 pulgadas.
Nuestros servicios:
1Fabricación y venta directa.
2Citas rápidas y precisas.
3Responderemos en 24 horas laborales.
4. ODM: diseño personalizado es disponible.
5Velocidad y entrega preciosa.
Preguntas frecuentes:
P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
A: ((1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos
ayudarle a enviarlos.
El flete está de acuerdo con la liquidación real.
P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma,
tamaño basado en sus necesidades.
Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación
Carro de la investigación
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