Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:10 por ciento
Tiempo de entrega:en 30days
Dureza de la superficie:HV0.3>2500
Densidad:3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:4,5 X 10-6/K
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Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Descripción del producto:
Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja
resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm
6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material semiconductor
de banda ancha con buena conductividad térmica y resistencia a
altas temperaturas,que se utiliza ampliamente en dispositivos
electrónicos de alta potencia y alta frecuenciaEl doping de tipo P
se logra mediante la introducción de elementos como el aluminio
(Al), que hace que el material sea electropositivo y adecuado para
diseños específicos de dispositivos electrónicos.que es adecuado
para funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje. La
conductividad térmica es superior a muchos materiales
semiconductores tradicionales y ayuda a mejorar la eficiencia del
dispositivo..
En el campo de la electrónica de potencia, se puede utilizar para
fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y
IGBT.tiene un excelente rendimiento en aplicaciones de alta
frecuencia y se utiliza ampliamente en equipos de comunicaciónEn el
campo de la tecnología LED, se puede utilizar como material básico
para dispositivos LED azules y ultravioleta.
Características:
· elBrecha de banda ancha: La brecha de banda es de aproximadamente 3,0
eV, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta temperatura,
alto voltaje y alta frecuencia.
· elExcelente conductividad térmica: con una buena conductividad
térmica, ayuda a la disipación de calor, mejora el rendimiento y la
confiabilidad del dispositivo.
· elAlta resistencia y dureza: alta resistencia mecánica, anti
fragmentación y anti desgaste, adecuada para su uso en ambientes
hostiles.
· elMovilidad de electrones: el dopaje tipo P mantiene una movilidad
relativamente alta de los portadores, lo que permite el uso de
dispositivos electrónicos eficientes.
· elPropiedades ópticas: con propiedades ópticas únicas, adecuadas para
el campo de la optoelectrónica, como LED y láseres.
· elEstabilidad química: buena resistencia a la corrosión química,
adecuada para ambientes de trabajo adversos.
· elFuerte adaptabilidad: puede combinarse con una variedad de
materiales de sustrato, adecuados para una variedad de escenarios
de aplicación.
Parámetros técnicos:
Aplicaciones:
· elElectrónica de potencia: Se utiliza para fabricar dispositivos de
energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT, que se utilizan
ampliamente en convertidores de frecuencia, gestión de energía y
vehículos eléctricos.
· elEquipo de RF y microondas: se utiliza en amplificadores de alta frecuencia, amplificadores de potencia de RF, adecuados para sistemas de comunicación y radar.
· elEquipo de RF y microondas: se utiliza en amplificadores de alta frecuencia, amplificadores de potencia de RF, adecuados para sistemas de comunicación y radar.
· elOptoelectrónica: Se utiliza como sustrato en LED y láseres,
especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.
· elSensores de alta temperatura: debido a su buena estabilidad
térmica, son adecuados para sensores de alta temperatura y equipos
de monitoreo.
· elEnergía solar y sistemas energéticos: se utilizan en inversores
solares y otras aplicaciones de energía renovable para mejorar la
eficiencia de conversión de energía.
· elElectrónica automotriz: optimización del rendimiento y ahorro de
energía en el sistema de alimentación de vehículos eléctricos e
híbridos.
· elEquipo eléctrico industrial: módulos de potencia para una amplia
gama de equipos y máquinas de automatización industrial para
mejorar la eficiencia energética y la fiabilidad.
Personalización:
Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 6H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pc/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de diámetro 50,8 mm de espesor 350 μm. El lugar de origen es China.
Nuestros servicios:
1Fabricación y venta directa.
2Citas rápidas y precisas.
3Responderemos en 24 horas laborales.
4. ODM: diseño personalizado es disponible.
5Velocidad y entrega preciosa.
Preguntas frecuentes:
P: ¿Hay algún stock o producto estándar?
R: Sí, el tamaño de inicio es de 2 pulgadas 0.35 mm tamaño estándar
siempre en stock.
P: Si hago un pedido ahora, ¿cuánto tardaría en recibir la entrega?
R: El tamaño estándar en stock en 1 semana puede expresarse después
del pago.
y nuestro plazo de pago es el 50% de depósito y la partida antes de
la entrega.
Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm
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