Wafer de 4 pulgadas de Si Dia 100mm espesor 350um Orientación <100> DSP SSP Wafer de silicio personalizado tipo N tipo P
Número de modelo:OBLEA DEL SI
Lugar de origen:China.
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Las partículas de silicio que se encuentran en el substrato de silicio, incluidas las partículas de silicio de 100 mm, 110 mm, 111 mm, 1 mm, 2 mm, 3 mm, 4 mm y substrato monocristalino de silicio.Oferta de silicio monocristalino
Características de la oblea de Si
- el usoMonocristales de siliciopara fabricar, con una alta pureza, 99,999%
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- la resistividad varía mucho según el tipo dopado
- puede ser de tipo P (con boro) o de tipo N (con fósforo o arsénico)
- ampliamente utilizados en áreas de alta tecnología, como los IC, los dispositivos fotovoltaicos y los MEMS
Descripción de la oblea de Si
Las obleas de silicio son discos planos y delgados hechos de silicio monocristalino altamente purificado y se utilizan ampliamente en la industria de semiconductores.
Estas obleas son el sustrato básico para la fabricación de circuitos integrados y una variedad de dispositivos electrónicos.
Las obleas de silicio suelen variar de 2 pulgadas (50 mm) a 12 pulgadas (300 mm) de diámetro, y su grosor varía según el tamaño, generalmente entre 200 μm y 775 μm.
Las obleas de silicio se fabrican utilizando los métodos de Czochralski o Float-Zone y se pulieron cuidadosamente para obtener una superficie especular con una rugosidad mínima.Se pueden dopar con elementos como el boro (tipo P) o el fósforo (tipo N) para modificar sus propiedades eléctricas.
Las propiedades clave incluyen alta conductividad térmica, bajo coeficiente de expansión térmica y excelente resistencia mecánica.
Las obleas también pueden tener capas epitaxiales o capas delgadas de dióxido de silicio para mejorar las propiedades eléctricas y el aislamiento.
Se procesan y manejan en un ambiente de sala limpia para mantener la pureza, asegurando un alto rendimiento y fiabilidad en la fabricación de semiconductores.
Más sobre la oblea de Si
| Método de crecimiento | Czochralski ((CZ), zona flotante ((FZ) | ||
| Estructura de cristal | Cubico | ||
| Espacio de banda | 1.12 eV | ||
| Densidad | 2.4 g/cm3 | ||
| Punto de fusión | 1420°C | ||
| Tipo de dopante | No dopado | Con dopado de boro | Fós-dopado / As-dopado |
| Tipo de conducción | En cuanto a la | Tipo P | Tipo N |
| Resistencia | > 1000 Ωcm | 0.001 ~ 100 Ωcm | 0.001 ~ 100 Ωcm |
| El EPD | < 100 /cm2 | < 100/cm2 | < 100/cm2 |
| Contenido de oxígeno | ≤ 1x1018 /cm3 | ||
| Contenido de carbono | ≤ 5x1016 /cm3 | ||
| El grosor | 150 mm, 200 mm, 350 mm, 500 mm u otros | ||
| Pulido | Las demás partidas de las partidas de las demás partidas | ||
| Orientación del cristal | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | ||
| La rugosidad de la superficie | Las condiciones de ensayo de las máquinas de ensayo de los demás equipos de ensayo | ||
Muestras de la oblea de Si
*Si tiene otros requisitos, no dude en contactarnos para personalizar uno.
Sobre nosotros y la caja de embalaje
Sobre nosotros
Nuestra empresa, ZMSH, se especializa en la investigación,
producción, procesamiento y ventas de sustratos de semiconductores
y materiales ópticos de cristal.
Tenemos un equipo de ingeniería experimentado, experiencia en
gestión, equipo de procesamiento de precisión e instrumentos de
prueba,que nos proporciona capacidades extremadamente fuertes en el
procesamiento de productos no estándar.
Podemos investigar, desarrollar y diseñar varios productos nuevos
de acuerdo con las necesidades del cliente.
La empresa se adherirá al principio de "centrada en el cliente,
basada en la calidad" y se esforzará por convertirse en una empresa
de alta tecnología de primer nivel en el campo de los materiales
optoelectrónicos.
Sobre la caja de embalaje
Dedicados a ayudar a nuestros clientes, usamos plástico de espuma
de obleas para empacar.
Aquí hay algunas fotos de estos.
Preguntas frecuentes
1P: ¿Cuál es la diferencia entre las obleas de Si tipo P y tipo N?
R: Las obleas de silicio tipo P tienen agujeros como los principales portadores de carga, mientras que las obleas tipo N tienen electrones, con diferencias mínimas en otras propiedades físicas como la resistividad.
2. P: ¿Cuáles son las principales diferencias entre las obleas Si, SiO2 y SiC?
R: Las obleas de silicio (Si) son sustratos de silicio puro utilizados principalmente en dispositivos semiconductores.
Las obleas de SiO2 tienen una capa de dióxido de silicio en la superficie, a menudo utilizada como capa aislante.
Las obleas de carburo de silicio (SiC) están compuestas de un compuesto de silicio y carbono, ofreciendo una mayor conductividad térmica y durabilidad,que los hace adecuados para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
Wafer de 4 pulgadas de Si Dia 100mm espesor 350um Orientación <100> DSP SSP Wafer de silicio personalizado tipo N tipo P
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