2" InSb-Te EPI Substrato de banda estrecha Semiconductor Substrato de la sala de componentes
Número de modelo:Substratos de InSb-Te
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:25pcs
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2 InSb-Te EPI Substratos de banda estrecha de separación de semiconductores Substratos de Hall Componentes
Descripción del InSb-Te:
El antimonuro de indio (EnSb), como una especie de material semiconductor compuesto binario del grupo III-V, ha sido el foco de investigación en el campo deel semiconductorEn la actualidad, el InSb es una de las más importantes materias primas del mundo, con propiedades físicas y químicas estables y una excelente compatibilidad de procesos.espacio entre bandas estrechas, una masa efectiva de electrones muy pequeña y una movilidad de electrones muy alta, especialmente notable es que pertenece a la absorción intrínseca en el rango espectral de3 a 5 μm, con una eficiencia cuántica de casi el 100 por ciento, lo que lo convierte en el material preferido para la preparación de ondas medianasdetectores de infrarrojosEl tamaño de la estructura de la red de te átomo y sb átomo está cerca el uno del otro.y la estructura de la cáscara de electrones de valencia también está cerca el uno del otro. el átomo es dopado como sustituto para sustituir el carbono en el cristal y desempeña el papel de donante.CZ-tirarEste método podría utilizarse para preparar materiales de cuerpo insb con una cierta concentración de te doping y la adición de te podría cambiar el tipo conductor de los cristales insb,y también tuvo un impacto importante en las propiedades eléctricas y ópticas de los materialesLos estudios correspondientes sentaron las bases experimentales para el crecimiento espacial de losEl Dopaje en el InSb.
Características del InSb-Te:
| Concentración alta de portadores | Tiene una mayor conductividad eléctrica y baja resistividad en dispositivos electrónicos. |
| Alta movilidad de los portadores | Describe los portadores en un material para moverse bajo un campo eléctrico. |
| Determinar la naturaleza | El dopaje con telurio puede aumentar el calor de los materiales cristalinos InSb. |
| Absorción de luz | El dopaje con telurio puede cambiar las uniones de banda de los cristales InSb. |
| Emisión de luz | El Te-doped InSb puede ser estimulado para producir emisión de luz
mediante excitación externa o inyección de electrones. |
| Compatibilidad | El sustrato InSb dopado con TE tiene una buena compatibilidad de red con otros semiconductores. |
| Estabilidad térmica | El dopaje con telurio puede mejorar la estabilidad térmica de los materiales InSb. |
| Propiedad óptica | El dopaje con telurio también tiene un cierto efecto sobre las propiedades ópticas de los materiales InSb |
Parámetros técnicos del InSb-Te:
Parámetro | En el caso de los productos de la categoría N2O, se utilizará la fórmula N2O. |
Método de crecimiento | CZ |
Agentes de superación | El |
Orientación | (111) +/- 0,5° |
Ángulo de orientación | No incluido |
Redondeamiento de los bordes | 0.25 |
Diámetro | 50.5 +/- 0.5 |
El grosor | 510+/-25 |
De orientación | EJ[01-1]+/- 0,5° |
DE longitud | 16+/-2 |
Orientación del IF | EJ[01-1]+/- 0,5° |
IF longitud | 8+/-1 |
CC | |
Movilidad | En caso de que la entidad no cumpla las condiciones siguientes: |
EPD-AVE | ≤ 50 |
TTV | ≤ 10 años |
Las condiciones de venta | ≤ 10 años |
- ¿Qué quieres decir? | ≤ 10 años |
La velocidad warp. | ≤ 15 años |
Superficie delantera | Las demás: |
Superficie lateral trasera | Las demás: |
El pachaging | Las demás partidas |
Aplicaciones del InSb-Te:
1Dispositivos electrónicos de alta velocidad: los cristales InSb dopados con telurio también tienen potencial en dispositivos electrónicos de alta velocidad.
2Dispositivos de estructura cuántica: Los cristales InSb dopados con Te pueden usarse para preparar dispositivos de estructura cuántica, como
Pozos cuánticos y dispositivos de puntos cuánticos.
3Dispositivos optoelectrónicos: Los cristales de InSb dopados con Te pueden utilizarse para preparar diversos dispositivos optoelectrónicos, tales como:
Las demás máquinas y aparatos para la fabricación de productos del capítulo 85
4Detector infrarrojo: los cristales InSb dopados con Te pueden utilizarse para preparar detectores infrarrojos de alto rendimiento.
El dopaje con telurio puede aumentar la concentración y la movilidad de los portadores.
5Los cristales InSb dopados con Te también tienen potencial de aplicación en el campo de los láseres infrarrojos.
La estructura de banda de los cristales INSB puede realizar el trabajo de los láseres infrarrojos.
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Preguntas frecuentes:
P: ¿Cuál es el nombre de marca deTe-InSb?
A: El nombre de marca deTe-InSbes ZMSH.
P: ¿Qué es la certificación deTe-InSb?
A: La certificación deTe-InSbes ROHS.
P: ¿Cuál es el lugar de origen deTe-InSb?
A: El lugar de origen deTe-InSbes China.
P: ¿Cuál es el MOQ deTe-InSb a la vez?
R: El MOQ deTe-InSbes 25 piezas a la vez.
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