6" Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Waferes de semiconductores de calibre ficticio LED 5G grado D
Número de modelo:4H-Semi SIC
Lugar de origen:China.
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6 ′′ Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers semiconductores de grado ficticio 5G LED
Descripción:
Semi-aislante 4H-SiC (semi-aislante)4H-SIC) es un tipo especial de carburo de silicio.En la estructura cristalina, el SIC de semiconductores 4H tiene propiedades semiconductoras, mientras que el carburo de silicio semiconductor 4H semi-aislado tiene características de resistencia más altas,con propiedades similares a las de los aislantes.Semi-aisladosCarburo de silicio semiconductor 4Htiene importantes aplicaciones enel semiconductorfabricación de dispositivos, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.Silicio semi-aislado carburopuede utilizarse como resistencia, capa de aislamiento osustratospara ayudar a reducir la interconexión de corriente e interferencias entre dispositivos.4 horas.indica la estructura cristalina decarburo de silicio.4H-carburo de silicioes una forma de estructura cristalina en la que los átomos de silicio y carbono forman una estructura cristalina estable.
Características:
Características | Descripciones |
Propiedad de alta temperatura | El carburo de silicio semiconductor 4H tiene excelentes características a altas temperaturas y puede funcionar en entornos de altas temperaturas. |
Resistencia a la alta presión | El carburo de silicio semiconductor 4H tiene una alta resistencia al campo eléctrico de descomposición y resistencia al voltaje, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje como la electrónica de potencia. |
Respuesta de alta requerencia | El carburo de silicio semiconductor 4H tiene una alta movilidad de electrones y características de baja capacitancia, lo que permite una conmutación de alta velocidad y una conversión de potencia de baja pérdida. |
Pérdida baja de encendido y apagado | El SIC 4H-semi tiene una baja pérdida de encendido y apagado, es decir, menos pérdida de energía en el estado conductor, reduciendo la pérdida de calor en la conversión de energía. |
Alta resistencia a la radiación | El SIC 4H-semi tiene una alta resistencia a la radiación y puede mantener un rendimiento estable en entornos de alta radiación. |
Buena conductividad térmica | El SIC 4H-semi tiene una buena conductividad térmica y puede transferir y dispersar calor de manera efectiva. |
Alta resistencia química | El SIC 4H-semi tiene una alta resistencia a la corrosión química y la oxidación para mantener un rendimiento estable en ambientes hostiles. |
Parámetros técnicos:
Producción | Investigación | ¡ Qué tonto! | |
El tipo | 4 horas | 4 horas | 4 horas |
Resistencia (ohm·cm) | ≥ 1E9 | 100% de la superficie>1E5 | 70% de la superficie> 1E5 |
Diámetro | 150 ± 0,2 mm | 150 ± 0,2 mm | 150 ± 0,2 mm |
El grosor | 500 ± 25 μm | 500 ± 25 μm | 500 ± 25 μm |
Eje | Se trata de: | Se trata de: | Se trata de: |
TTV | ≤ 5 μm | ≤ 10 μm | ≤ 20 μm |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | ≤ 3 μm | ≤ 5 μm | ≤ 10 μm |
- ¿ Por qué? | - 25 μm ~ 25 μm | - 35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
La velocidad warp. | ≤ 35 μm | ≤ 45 μm | ≤ 55 μm |
El número de unidades de producción es el siguiente: | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm |
Densidad de los microtubos | El valor de las emisiones de dióxido de carbono | ≤ 10ea/cm2 | ≤ 15ea/cm2 |
Aplicaciones:
1El sustrato SIC de alta pureza 4H-semi se puede utilizar en
dispositivos electrónicos de potencia.
2El SIC 4H de alta pureza puede utilizarse para fabricar
dispositivos optoelectrónicos.
3Los SIC de alta pureza 4H-semi se pueden utilizar como
amplificadores de alta frecuencia.
4Se puede utilizar SIC de alta pureza 4H-semi para fabricar células solares eficientes.
5El SIC 4H de alta pureza puede utilizarse para fabricar
dispositivos LED (diodos emisores de luz).
6El SIC 4H-semi de alta pureza tiene importantes aplicaciones en
dispositivos electrónicos de alta temperatura.
7Se puede utilizar SIC de alta pureza 4H-semi se puede utilizar
para fabricar varios tipos de sensores
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Preguntas frecuentes:
P: ¿Qué es la certificación deHPSI 4h-semi SIC?
A: La certificación deHPSI 4h-semi SICes ROHS.
P: ¿Cuál es el nombre de marca deHPSI 4h-semi SIC?
A: El nombre de marca deHPSI 4h-semi SICes ZMSH.
P: ¿Cuál es el lugar de origen deHPSI 4h-semi SIC?
A: El lugar de origen deHPSI 4h-semi SICes China.
P: ¿Cuál es el MOQ deHPSI 4h-semi SIC a la vez?
R: El MOQ deHPSI 4h-semi SICes 25 piezas a la vez.
6" Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Waferes de semiconductores de calibre ficticio LED 5G grado D
Carro de la investigación
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