2' 4' InP Wafer Indio Fosfuro Wafer Semiconductor Substrato 350um 650um

Número de modelo:Wafer de fosfuro de indio
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:5 piezas
Condiciones de pago:T/T
Tiempo de entrega:en 15 dias
Detalles del embalaje:caja modificada para requisitos particulares
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2' 4' InP Wafer Indio Fosfuro Wafer Substrato semiconductor 350um 650um


Descripción deWafer InP:


Los chips InP (fosfuro de indio) son un material semiconductor comúnmente utilizado para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento como fotodiodos, láseres y sensores fotoeléctricos.


  • Estructura de cristal: los chips InP adoptan una estructura de cristal cúbico con una estructura de red altamente ordenada.

  • Brecha de energía: los chips InP tienen una pequeña brecha de energía directa de aproximadamente 1,35 eV, que es un material semiconductor en el rango de luz visible.

  • Índice de refracción: el índice de refracción de una oblea InP varía con la longitud de onda de la luz y es de aproximadamente 3,17 en el rango visible.

  • Conductividad térmica: InP tiene una alta conductividad térmica de aproximadamente 0,74 W/(cm·K).

  • Movilidad de electrones: los chips InP tienen una alta movilidad de electrones de aproximadamente 5000 cm^2/(V·s).

  • Tamaño del chip: Los chips InP generalmente se suministran en forma de chip redondo y pueden variar en diámetro de unos pocos milímetros a varias pulgadas.

  • Características superficiales: La superficie del chip InP suele ser tratada especialmente para mejorar su planitud y limpieza.

Características delOjal InP:


El chip InP (fosfuro de indio) se utiliza ampliamente en el campo de los dispositivos optoelectrónicos como el material de sustrato de los dispositivos semiconductores.


  • Diferencia de energía directa: Los chips InP tienen una pequeña brecha de energía directa (alrededor de 1,35 eV), lo que les permite absorber y emitir señales de luz en el rango visible de manera eficiente.

  • Alta movilidad de electrones: Los chips InP tienen una alta movilidad de electrones (aproximadamente 5000 cm ^ 2 / (((V · s))), lo que los hace mostrar excelentes propiedades eléctricas en dispositivos electrónicos de alta velocidad.

  • Fuerte efecto fotoeléctrico: Los chips InP tienen un fuerte efecto fotoeléctrico, lo que los hace mostrar un excelente rendimiento en dispositivos como fotodetectores y fotodiodos.

  • Estabilidad y fiabilidad: Los chips InP tienen una buena estabilidad térmica y propiedades eléctricas, lo que les permite trabajar en ambientes de alta temperatura y alto campo eléctrico.

  • Técnicas de preparación extensas: las obleas InP se pueden cultivar mediante una variedad de técnicas de preparación, como la deposición de vapor químico metálico-orgánico (MOCVD) y la epitaxia de haz molecular (MBE).

Parámetros técnicos deWafer InP:


Punto de trabajoParámetroOMS
El materialEn el P
Tipo de conducción/DopantS-C-N/S
Grado¡ Qué tonto!
Diámetro100.0 +/- 0.3En el caso de los
Orientación(100) +/- 0,5°
Área gemelada lamellarárea de cristal único útil con orientación (100) > 80%
Orientación plana primariaSe trata de un proyecto de investigación de la Comisión.En el caso de los
Duración plana primaria32.5+/-1
Orientación plana secundariaEl número de personas afectadas
Duración plana secundaria18+/-1

Las aplicaciones deWafer InP:


El chip InP (fosfuro de indio), como material de sustrato de dispositivos semiconductores, tiene excelentes propiedades fotoeléctricas y eléctricas.Las siguientes son algunas de las principales áreas de aplicación de los materiales de sustrato de chips InP:


  • Comunicación óptica: se puede utilizar para fabricar transmisores de luz (como láseres) y receptores de luz (como fotodiodos) en sistemas de comunicación de fibra óptica.

  • Detección y detección ópticas: Los fotodetectores basados en chips InP pueden convertir eficientemente señales ópticas en señales eléctricas para comunicación óptica, medición óptica,análisis espectral y otras aplicaciones.

  • Tecnología láser: Los láseres basados en el INP se utilizan ampliamente en comunicación óptica, almacenamiento óptico, liDAR, diagnóstico médico y procesamiento de materiales.

  • Circuitos integrados optoelectrónicos: los chips InP pueden utilizarse para fabricar circuitos integrados optoelectrónicos (OEics),que es la integración de dispositivos optoelectrónicos y dispositivos electrónicos en el mismo chip.

  • Células solares: los chips InP tienen una alta eficiencia de conversión fotoeléctrica, por lo que se pueden utilizar para fabricar células solares eficientes.


Preguntas frecuentes:


P1: ¿Cuál es el nombre de la marcaWafer InP?
A1: El
Fósforo de indioes hecho por ZMSH.


P2: ¿Cuál es el diámetro de laFósforo de indio?
A2: El diámetro de
Fósforo de indioes 2'', 3'', 4''.


P3: ¿Dónde está elFósforo de indio¿De dónde?
A3: El
Fósforo de indioes de China.


P4: ¿Es elFósforo de indio¿Con certificación ROHS?
R4: Sí, el
Fósforo de indioes certificado ROHS.


P5: ¿CuántosFósforo de indio¿Puedo comprar waffles a la vez?
A5: La cantidad mínima de pedido de la
Fósforo de indioEs de 5 piezas.


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