Detalles del producto
2' 4' InP Wafer Indio Fosfuro Wafer Substrato semiconductor 350um
650um
Descripción deWafer InP:
Los chips InP (fosfuro de indio) son un material semiconductor
comúnmente utilizado para la fabricación de dispositivos
optoelectrónicos de alto rendimiento como fotodiodos, láseres y
sensores fotoeléctricos.
- Estructura de cristal: los chips InP adoptan una estructura de
cristal cúbico con una estructura de red altamente ordenada.
- Brecha de energía: los chips InP tienen una pequeña brecha de
energía directa de aproximadamente 1,35 eV, que es un material
semiconductor en el rango de luz visible.
- Índice de refracción: el índice de refracción de una oblea InP
varía con la longitud de onda de la luz y es de aproximadamente
3,17 en el rango visible.
- Conductividad térmica: InP tiene una alta conductividad térmica de
aproximadamente 0,74 W/(cm·K).
- Movilidad de electrones: los chips InP tienen una alta movilidad de
electrones de aproximadamente 5000 cm^2/(V·s).
- Tamaño del chip: Los chips InP generalmente se suministran en forma
de chip redondo y pueden variar en diámetro de unos pocos
milímetros a varias pulgadas.
- Características superficiales: La superficie del chip InP suele ser
tratada especialmente para mejorar su planitud y limpieza.
Características delOjal InP:
El chip InP (fosfuro de indio) se utiliza ampliamente en el campo
de los dispositivos optoelectrónicos como el material de sustrato
de los dispositivos semiconductores.
- Diferencia de energía directa: Los chips InP tienen una pequeña
brecha de energía directa (alrededor de 1,35 eV), lo que les
permite absorber y emitir señales de luz en el rango visible de
manera eficiente.
- Alta movilidad de electrones: Los chips InP tienen una alta
movilidad de electrones (aproximadamente 5000 cm ^ 2 / (((V · s))),
lo que los hace mostrar excelentes propiedades eléctricas en
dispositivos electrónicos de alta velocidad.
- Fuerte efecto fotoeléctrico: Los chips InP tienen un fuerte efecto
fotoeléctrico, lo que los hace mostrar un excelente rendimiento en
dispositivos como fotodetectores y fotodiodos.
- Estabilidad y fiabilidad: Los chips InP tienen una buena
estabilidad térmica y propiedades eléctricas, lo que les permite
trabajar en ambientes de alta temperatura y alto campo eléctrico.
- Técnicas de preparación extensas: las obleas InP se pueden cultivar
mediante una variedad de técnicas de preparación, como la
deposición de vapor químico metálico-orgánico (MOCVD) y la epitaxia
de haz molecular (MBE).
Parámetros técnicos deWafer InP:
Punto de trabajo | Parámetro | OMS |
El material | En el P | |
Tipo de conducción/Dopant | S-C-N/S | |
Grado | ¡ Qué tonto! | |
Diámetro | 100.0 +/- 0.3 | En el caso de los |
Orientación | (100) +/- 0,5° | |
Área gemelada lamellar | área de cristal único útil con orientación (100) > 80% | |
Orientación plana primaria | Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión. | En el caso de los |
Duración plana primaria | 32.5+/-1 | |
Orientación plana secundaria | El número de personas afectadas | |
Duración plana secundaria | 18+/-1 | |
Las aplicaciones deWafer InP:
El chip InP (fosfuro de indio), como material de sustrato de
dispositivos semiconductores, tiene excelentes propiedades
fotoeléctricas y eléctricas.Las siguientes son algunas de las
principales áreas de aplicación de los materiales de sustrato de
chips InP:
- Comunicación óptica: se puede utilizar para fabricar transmisores
de luz (como láseres) y receptores de luz (como fotodiodos) en
sistemas de comunicación de fibra óptica.
- Detección y detección ópticas: Los fotodetectores basados en chips
InP pueden convertir eficientemente señales ópticas en señales
eléctricas para comunicación óptica, medición óptica,análisis
espectral y otras aplicaciones.
- Tecnología láser: Los láseres basados en el INP se utilizan
ampliamente en comunicación óptica, almacenamiento óptico, liDAR,
diagnóstico médico y procesamiento de materiales.
- Circuitos integrados optoelectrónicos: los chips InP pueden
utilizarse para fabricar circuitos integrados optoelectrónicos
(OEics),que es la integración de dispositivos optoelectrónicos y
dispositivos electrónicos en el mismo chip.
- Células solares: los chips InP tienen una alta eficiencia de
conversión fotoeléctrica, por lo que se pueden utilizar para
fabricar células solares eficientes.
Preguntas frecuentes:
P1: ¿Cuál es el nombre de la marcaWafer InP?
A1: ElFósforo de indioes hecho por ZMSH.
P2: ¿Cuál es el diámetro de laFósforo de indio?
A2: El diámetro deFósforo de indioes 2'', 3'', 4''.
P3: ¿Dónde está elFósforo de indio¿De dónde?
A3: ElFósforo de indioes de China.
P4: ¿Es elFósforo de indio¿Con certificación ROHS?
R4: Sí, elFósforo de indioes certificado ROHS.
P5: ¿CuántosFósforo de indio¿Puedo comprar waffles a la vez?
A5: La cantidad mínima de pedido de laFósforo de indioEs de 5 piezas.
Otros productos:
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Perfil de la compañía
El COMERCIO FAMOSO CO., LTD. de SHANGAI localiza en la ciudad de
Shangai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014.
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en
las obleas, los substratos y el vidrio óptico custiomized
parts.components ampliamente utilizados en electrónica, la óptica,
la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado
trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las
instituciones de investigación y las compañías de ultramar,
proporcionan productos modificados para requisitos particulares y
los servicios para sus proyectos del R&D.
Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes al lado de nuestros
buenos reputatiaons.