Dureza modificada para requisitos particulares del substrato del carburo de silicio del tamaño 9,4 sic porciones para el equipo
Número de modelo:Modificado para requisitos particulares formado
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10pcs
Capacidad de la fuente:5000e
Plazo de expedición:Dentro de 15days
Detalles de empaquetado:en los casetes de solos envases de la oblea
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Dentro de 13 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Substrato sic cuadrado de 10x10 mm 5x5 mm personalizado, obleas sic
de 1 pulgada, chips de cristal sic, substratos de semiconductores
sic, obleas SIC de 6H-N, obleas de carburo de silicio de alta
pureza
- ¿ Qué es lo que está pasando? - ¿ Qué pasa?
Ofrecemos materiales semiconductores, especialmente para obleas de
SiC, substrato de SiC de politipo 4H y 6H en diferentes grados de
calidad para investigadores y fabricantes industriales.Tenemos una
buena relación con la fábrica de crecimiento de cristales de SiC y,
poseemos también tenemos la tecnología de procesamiento de obleas
SiC, estableció una línea de producción para el fabricante de
sustrato SiC y obleas SiC.Como una empresa profesional invertida
por los principales fabricantes de los campos de investigación de
materiales avanzados y de alta tecnología e institutos estatales y
el Laboratorio de Semiconductores de China., estamos dedicados a
mejorar continuamente la calidad de la obletera de SiC, actualmente
los substratos y desarrollar sustratos de gran tamaño.
Áreas de aplicación
1 dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia
diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,
Diodos, IGBT y MOSFET
2 dispositivos optoelectrónicos: utilizados principalmente en el
material de sustrato de GaN/SiC azul LED (GaN/SiC)
Ventajas
• Desajuste bajo de la rejilla• Alta conductividad térmica
• Bajo consumo energético
• Excelentes características transitorias
• Gran brecha de banda
Substratos y piezas de carburo de silicio (SiC) personalizados, conocidos por su notable clasificación de dureza de 9.4 en la escala de Mohs,Son muy buscados para su uso en una variedad de aplicaciones industriales y científicasSus excepcionales propiedades mecánicas, térmicas y químicas las hacen ideales para entornos donde la durabilidad y el rendimiento en condiciones extremas son críticos.
Fabricación de semiconductores: Los sustratos de SiC se utilizan ampliamente en la producción de semiconductores de alta potencia y alta temperatura, como MOSFET, diodos Schottky e inversores de potencia.Los tamaños personalizados de los sustratos de SiC son particularmente útiles para los requisitos de dispositivos específicos en industrias como la energía renovable (inversores solares), automotriz (vehículos eléctricos) y aeroespacial (aviónica).
Partes del equipo: La dureza y la resistencia al desgaste del SiC® lo convierten en un excelente material para la producción de piezas personalizadas utilizadas en maquinaria y equipos industriales.debe soportar ambientes de alto estrésLa durabilidad y la resistencia al choque térmico de los SiC1 son esenciales.
Óptica y fotónica: El SiC también se utiliza en la producción de componentes ópticos y espejos para equipos de alta precisión, particularmente en entornos de alta temperatura.Su estabilidad térmica garantiza un rendimiento fiable en instrumentos científicos, láseres y otras aplicaciones sensibles.
En resumen, los sustratos y piezas de SiC personalizados ofrecen una dureza, resistencia térmica e inertitud química incomparables, lo que los hace invaluables en varias industrias de alta tecnología.
tamaño de 2 pulgadas para los sustratos sic
| 2 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato | ||||||||||
| Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación | ||||||
| Diámetro | 50.8 mm ± 0,2 mm | |||||||||
| El grosor | 330 μm±25 μm o 430±25 μm o 1000 μm±25 μm | |||||||||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI En el eje: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de los microtubos | ≤ 0 cm2 | ≤ 5 cm2 | ≤ 15 cm2 | ≤ 100 cm2 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Piso primario | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Duración plana primaria | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Duración plana secundaria | 10.0 mm±2.0 mm | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | |||||||||
| Exclusión de los bordes | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||||||||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Las grietas causadas por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 2 mm | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||||||
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||||
| Rasguños por luz de alta intensidad | 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | |||||||
| el chip de borde | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||||||
tamaño de la imagen: 10x10x0,5 mmm,
tolerancia: ± 0,03 mm
Profundidad de la cerilla x anchura: 0,4 mmx0,5 mm
TIPO:4H- semiconductor
superficie: pulida (ssp o dsp)
¿ Qué pasa?0.5nm
Preguntas frecuentes
1¿ Cuál es su paquete?
R: Proporcionamos una caja de película de adsorción automática como
paquete.
2P: ¿ Cuál es su plazo de pago?
R: Nuestro plazo de pago es T / T 50% por adelantado, 50% antes de
la entrega.
3P: ¿Cómo puedo conseguir algunas muestras?
R: Debido a los productos de forma personalizada, esperamos que
pueda ordenar un lote min como muestra.
4.- ¿ Qué?¿ Cuánto tardamos en conseguir las muestras?
R: Enviamos las muestras en 10 a 25 días después de su
confirmación.
5P: ¿Cómo se desempeña su fábrica en cuanto al control de calidad?
R:La calidad es lo primero es nuestro lema,Los trabajadores siempre
dan gran importancia al control de calidad desde
desde el principio hasta el final.
Dureza modificada para requisitos particulares del substrato del carburo de silicio del tamaño 9,4 sic porciones para el equipo
Carro de la investigación
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