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tipo substratos del método P del crecimiento de 6inch VGF del GaAs de las obleas del GaAs
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Oblea del GaAs
Las obleas GaAS del substrato del GaAS de las obleas del substrato del GaAs de las obleas del GaAs son un material del semiconductor con las propiedades superiores de la migración de alta frecuencia, alta del electrón, del alto funcionamiento del electrón, del sonido salival bajo y de la calidad linear. Es ampliamente utilizado en las industrias de la optoelectrónica y de la microelectrónica. En la industria de la optoelectrónica, las obleas del substrato del GaAS se pueden utilizar para fabricar LED (tubo luminescente), LD (jardín ligero de enseñanza), los dispositivos fotovoltaicos, el etc. En el campo de la industria de la microelectrónica, puede ser utilizado para hacer MESFET (tubo del cuero del efecto de campo del semiconductor del metal), HEMT (alto transistor de movilidad de electrón), HBT (transistor bipolar de la heterounión), IC, el diodo de la microonda, el dispositivo de pasillo, el etc.
GaAs (arseniuro de galio) para los usos del LED | ||
Artículo | Especificaciones | Observaciones |
Tipo de la conducción | SC/n-type | |
Método del crecimiento | VGF | |
Dopante | Silicio | |
Oblea Diamter | 2, 3 y 4 pulgadas | Lingote o como-corte disponible |
Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° de (110) | El otro misorientation disponible |
DE | EJ o los E.E.U.U. | |
Concentración de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
Resistencia en el RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
Movilidad | 1500~3000 cm2s/V.sec | |
Grabado de pistas Pit Density | <500> | |
Marca del laser | a petición | |
Final superficial | P/E o P/P | |
Grueso | 220~350um | |
Epitaxia lista | Sí | |
Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
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